Способ дополнительной очистки поверхности монокристалла Si (111)

Ushbu maqola Si (111) kristallariga P+ va B+ ionlarini implantatsiya qilish va keyinchalik ularni termal va lazer nurlanishi bilan ishlov berish jarayonini o'rganadi. Tadqiqot natijalarida yuqori konsentratsiyali implantatsiyadan so'ng va keyinchalik termal va lazerli ishlov berilgandan keyin kristalning ustki qatlamida deyarli bir xil taqsimlangan atomlar hosil bo'lishi ko'rsatilgan. Xususan, P+ va B+ ionlarini turli energiya va dozalarda chuqurlashtirish va keyinchalik bosqichma-bosqich ishlov berish natijasida boshqariladigan qalinlikdagi p-i-n strukturalar yaratilishi mumkinligi, bu esa turli yarimo'tkazgich asboblari strukturalarini yaratishda muhim ahamiyatga ega ekanligi ta'kidlangan.

Asosiy mavzular

• Ion implantatsiyasi va uning Si (111) kristalliga ta'siri: Maqolada Si (111) kristalliga P+ va B+ ionlarini implantatsiya qilish jarayoni, turli energiya va dozalarda o'tkazilgan implantatsiyaning natijalari, jumladan, atomlarning kristall qatlamida joylashuvi o'rganiladi.
• Termal va lazerli ishlov berishning ta'siri: Implantatsiyadan so'ng kristallarning termal va lazer nurlanishi bilan ishlov berish jarayonlari, ularning atomlar taqsimotiga va defektlarni tiklashga ta'siri tahlil qilinadi. Lazerli ishlov berishning ustunliklari, jumladan, aniqroq profillar olish imkoniyati ta'kidlanadi.
• P-i-n strukturalarni yaratish: Maqolada bosqichma-bosqich implantatsiya va ishlov berish orqali boshqariladigan qalinlikdagi p-i-n strukturalarni yaratish mumkinligi ko'rsatilgan. Bu esa turli yarimo'tkazgich asboblari uchun muhim ahamiyat kasb etadi.
• Elektron-energetik parametrlarni o'zgarishi: Termal ishlov berishdan so'ng Si kristallarining elektron-energetik parametrlari (termoelektron ish chiqishi, fotoelektron ish chiqishi, elektron aloqadorligi) o'zgarishi jadvalda ko'rsatilgan va tahlil qilingan.