Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в si (111), имплантированном ионами p+ и b+
Ushbu tadqiqot maqolasi GaAs materiali yuzasiga natriy ionlari (Na⁺) bilan lazerli implantatsiya qilish orqali hosil bo'lgan nanoqavatlar strukturasini va tarkibini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektronlar diffraktsiyasi usullaridan foydalanilgan. Natriy ionlarini 20 keV energiyada implantatsiya qilish natijasida GaAs yuzasida 10-12 nm qalinlikdagi uch qavatli GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs tizimi hosil bo'lishi aniqlangan. Shuningdek, bu qavatlar orasida qalinligi 10-15 nm bo'lgan Ga1–xNaxAs (x ≈ 0–0.5) tipidagi o'tish qatlamlari shakllanishi ko'rsatilgan. Tadqiqotda har xil dozalarda (D=10¹⁴-10¹⁷ sm⁻²) natriy ionlari implantatsiyasi natijasida elementar tarkibning o'zgarishi va yuzaki qatlamning buzilishi o'rganilgan. Optimal termik ishlov berish orqali natriyning chuqurlik bo'yicha taqsimlanishini nazorat qilish mumkinligi ham ko'rsatib o'tilgan.
Asosiy mavzular
- Nanoqavatlarning tarkibi va strukturasini o'rganish: Maqolada oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektronlar diffraktsiyasi usullaridan foydalanib, GaAs materiali yuzasida natriy ionlari implantatsiyasi natijasida hosil bo'lgan Ga1–xNaxAs nanoqavatlarining tarkibi va strukturasini o'rganish asosiy maqsad qilib olingan. Tadqiqot natijasida GaAs yuzasida 10-12 nm qalinlikdagi uch qavatli GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs tizimi va uning orasida o'tish qatlamlarining hosil bo'lishi aniqlangan.
- Natriy ionlari implantatsiyasining ta'siri: Ushbu mavzu doirasida har xil dozalarda (D=10¹⁴-10¹⁷ sm⁻²) va energiyalarda (Eo=15-25 keV) natriy ionlarini implantatsiya qilishning GaAs materiali yuzasidagi o'zgarishlarga ta'siri o'rganilgan. Implantatsiya natijasida elementar tarkibning o'zgarishi, yuzaki qatlamning buzilishi va Ga0.5Na0.5As fazasining hosil bo'lishi tadqiq etilgan.
- Termik ishlov berishning roli: Tadqiqotda natriy ionlari bilan implantatsiya qilingan GaAs namunalariga turli temperaturadagi (T=700 K, 850 K) termik ishlov berishning ta'siri o'rganilgan. Ayniqsa, 850 K temperaturadagi ishlov berish natriy atomlarining chuqurlik bo'yicha taqsimlanishini nazorat qilishga imkon berishi va qatlamlarining hosil bo'lishiga ta'sir ko'rsatishi ko'rsatilgan.