Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +
Ushbu maqolada Si (111) monokristallarining yuzasi uchun qo'shimcha tozalash usuli taqdim etiladi. Ushbu usul vakuumda termik ishlov berish va ionli bombardimonlashni o'z ichiga oladi, so'ngra Ba+ ionlari yoki boshqa ishqoriy metallar bilan bombardimonlash va yuqori haroratda qisqa muddatli (1 min) termik ishlov berish orqali ularni olib tashlash bilan yakunlanadi. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, Ba+ ionlari va ishqoriy elementlarning qo'shimcha tozalash effekti, ular faol bo'lib, aralashmalar (O, C, S, N va boshqalar) bilan birikmalar hosil qiladi va keyingi yuqori haroratli ishlov berishda olib tashlanadi. Maqolada Si (111) monokristallining tozalash jarayonining turli bosqichlari va ularning natijalari tahlil qilingan.
Asosiy mavzular
- Qo'shimcha tozalash usuli: Ushbu bo'limda Si (111) monokristallarining yuzasini tozalash uchun taklif etilayotgan yangi usulning batafsil tavsifi berilgan. Usul vakuumda dastlabki termik ishlov berish, Ba+ ionlari yoki boshqa ishqoriy metallar bilan bombardimonlash va keyinchalik yuqori haroratda qisqa muddatli termik ishlov berishni o'z ichiga oladi.
- Tozalash mexanizmi: Ushbu qismda qo'shimcha tozalashning mexanizmi tushuntirilgan. Ba+ ionlari yoki ishqoriy elementlar faol birikmalar hosil qilib, aralashmalarni olib tashlashga yordam beradi, bu esa yuzani tozalashga olib keladi.
- Tajribaviy natijalar va muhokamasi: Maqolada tajribaviy natijalar keltirilgan va tahlil qilingan. Bunda turli tozalash usullarining ta'siri, shu jumladan termik ishlov berish, ionli bombardimonlash va ularning aralashmalarga ta'siri ko'rsatilgan. Ionli tozalashning samaradorligi va yuzani tozalash sifatiga ta'siri muhokama qilingan.
- Tekshirish usullari: Maqolada yuzani tozalashni tekshirish uchun ishlatiladigan usullar haqida ma'lumot berilgan. Bularga elektron oje spektroskopiyasi (EES), diffraktsion elektron mikroskopiya (DEM) va boshqa usullar kiradi.