Simulation study of dibl effect in 25 nm soi-finfet with the different body shape.

Ushbu maqolada 25 nm o'lchamli SOI-FinFET qurilmalari uchun DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering) effektini o'rganish maqsadida, turli xil silikon tana geometriyalarining ta'siri tahlil qilingan. Qurilmaning yuqori tanasi toraygan sari DIBL effektining kuchayishi va bu holatning potensial to'siqning pasayishi bilan bog'liqligi ko'rsatilgan. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, DIBL effektining kattaligi asosan tananing shakliga bog'liq bo'lib, kesim maydonining o'zgarishiga nisbatan ko'proq ta'sir ko'rsatadi.

Asosiy mavzular

• DIBL effekti va uning SOI-FinFET qurilmalaridagi roli: Maqolada DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering) effektining 25 nm o'lchamli SOI-FinFET qurilmalarida qanday namoyon bo'lishi va uning qurilma geometriyasiga bog'liqligi tahlil qilingan. DIBL – bu drenaj kuchlanishining o'zgarishi natijasida kanalning potensial to'sig'ining pasayishi bo'lib, bu qurilmaning ishlashiga salbiy ta'sir ko'rsatishi mumkin.
• Silikon tana geometriyasining DIBL ga ta'siri: Tadqiqotda SOI-FinFET qurilmalarining silikon tana qismining yuqori qismining torayishi (turli xil geometrik shakllar, jumladan uchburchak shaklgacha) DIBL effektiga qanday ta'sir qilishi o'rganilgan. Natijalar shuni ko'rsatadiki, tana yuqori qismining qalinligi ortishi bilan DIBL ham ortadi, bu esa drenaj nazoratining kamayishiga olib keladi.
• Shaklning DIBL ga ta'siri va kesim maydoni bilan solishtiruvi: Maqolada qurilma tanasining kesim maydoni bir xil bo'lgan taqdirda ham, shaklning o'zgarishi DIBL effektiga sezilarli ta'sir ko'rsatishi isbotlangan. Xususan, uchburchak shakldagi qurilmaning DIBL qiymati to'rtburchak shakldagiga nisbatan kamroq bo'lganligi aniqlangan, bu esa shaklning rolini ta'kidlaydi.