Электронная структура наноразмерных структур, созданных в приповерхностной области пленок Si И GaAs

Ushbu maqola Si va GaAs nanokristallik plyonkalari yaqin yuzasi mintaqasida yaratilgan nanostrukturalar elektron tuzilishini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda elektron spektroskopiyasi usullaridan foydalanilgan bo'lib, natijada turlicha valentlik zonalarining energiya spektri va ularning bir-biriga nisbatan joylashuvi aniqlangan. Maqolada nanostrukturalar elektron tuzilishini o'rganishning nazariy va eksperimental jihatlari ko'rib chiqilgan. Xususan, Si va GaAs nanokristallik plyonkalarning valentlik zonasi tuzilishi, ularning energetik xususiyatlari va energiyaviy darajalarini aniqlash usullari tahlil qilingan. Yuqori energiya fotonlari yordamida o'tkazilgan tadqiqotlar natijasida olingan ma'lumotlar tahlil qilinib, nanostrukturalar elektron xususiyatlari haqida xulosalar chiqarilgan.

Asosiy mavzular

• Nanostrukturalarning elektron tuzilishi: Maqolada Si va GaAs nanokristallik plyonkalarning yaqin yuzasi mintaqasida yaratilgan nanostrukturalarning elektron tuzilishi o'rganilgan. Turli valentlik zonalarining energiya spektri va ularning bir-biriga nisbatan joylashuvi aniqlangan.
• Elektron spektroskopiyasi usullari: Tadqiqotda elektron spektroskopiyasi usullaridan foydalanilgan. Xususan, fotoelektron spektroskopiyasi (PES) va rentgen fotoelektron spektroskopiyasi (XPS) kabi usullar qo'llanilgan. Bu usullar orqali valentlik zonalarining tuzilishi va energiya holatlari aniqlangan.
• Nanokristallik plyonkalarning energetik xususiyatlari: Si va GaAs nanokristallik plyonkalarning valentlik zonasi tuzilishi, ularning energetik xususiyatlari va energiyaviy darajalarini aniqlash usullari tahlil qilingan. Yuqori energiya fotonlari yordamida olingan ma'lumotlar asosida elektron xususiyatlari haqida xulosalar chiqarilgan.