n-(GaAs)-р-(GaAs)1-х-у(Ge2)х(ZnSe)у гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятлари, электрофизик ва фотоэлектрик хоссалари

Ushbu dissertatsiya ishida n-(GaAs)-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotizilmalarining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot ishi uchun zarur bo'lgan nazariy va eksperimental materiallar tahlil qilingan hamda yangi yarimo'tkazgichli material sifatida bunday geterotizilmalarning salohiyati ko'rsatilgan.

Asosiy mavzular

• HETOROTIZILMALARNING STRUKTURASI VA XOSSALARI: Geterotizilmalarning struktur xususiyatlari, jumladan, nanokristallarning shakllanishi va ularning o'lchamlari, to'qimalardagi elektron jarayonlar va optik xossalari tahlil qilingan.
• ELEKTROFIZIK VA FOTOELEKTRIK XOSSALARNI O'RGANISH: Geterotizilmalarning volt-amper xarakteristikalari, qorong'ulikdagi va yorug'likdagi elektro-optik xossalari, foto sezuvchanligi va uning energiyaga bog'liqligi tadqiq etilgan.
• YANGI YARIMO'TKazGICH MATERIAL SIFATIDA BAHOLASH: Tadqiqot natijalari asosida yangi yarimo'tkazgich material sifatida geterotizilmalarning fotoqabul qiluvchilar sifatida qo'llanilish imkoniyatlari ko'rsatilgan.