Термик ва микротўлқинли ишловларни TiBX(ZrBX)– n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диодли структураларнинг электрофизик хоссаларига таъсири
Ushbu dissertatsiya xulosasi o'zbek, rus va ingliz tillarida bo'lib, unda yarim o'tkazgichli tuzilmalar bilan ishlashning fizik-texnik jihatlari, xususan, TiBx(ZrBx) to'siqlari va n-SiC6H asosidagi Shottky diod tuzilmalarining termik va mikroto'lqinli ishlovlar ta'siri ostida elektr-fiziologik xossalarini tadqiq qilishga bag'ishlangan. Tadqiqot natijalari asosida yuqori haroratga chidamli, sezgir detektor diodlarni yaratish imkoniyatlari ko'rsatilgan. Tadqiqotda ishlatilgan usullar va olingan natijalarning ilmiy va amaliy ahamiyati bayon etilgan.
Asosiy mavzular
- Yarimo'tkazgichli tuzilmalar va Shottky diodlar: Dissertatsiyada yarimo'tkazgichli strukturalar, xususan, SiC (kremniy karbid) asosidagi Shottky diodlarning tuzilishi, ularning xossalari va qo'llanilishi haqida ma'lumot berilgan. Shottky to'siqlarining fizik-kimyoviy xossalari va ularning SiC bilan o'zaro ta'siri tadqiq etilgan.
- Termik va mikroto'lqinli ishlovlar ta'siri: Tadqiqotning asosiy qismi TiBx(ZrBx) to'siqli Shottky diodlariga tezkor termik va mikroto'lqinli ishlovlarning ta'sirini o'rganishga bag'ishlangan. Bu ishlovlarning diodlarning elektr-fiziologik parametrlari, jumladan, to'siq balandligi, ideallik faktori va boshqalarga ta'siri tahlil qilingan.
- Diod tuzilmalarining elektrofizik xossalari: Tadqiqot davomida turli xil ishlovlardan so'ng diod tuzilmalarining volt-amper xarakteristikasi, sezgirligi va termik barqarorligi kabi elektrofizik xossalari o'rganilgan. Natijalarda mikroto'lqinli ishlovlar diodlarning xossalarini yaxshilashi aniqlangan.
- Yangi detektor diodlarni yaratish: Tadqiqot natijalari asosida yuqori haroratga chidamli va yuqori sezgirlikka ega bo'lgan Shottky detektor diodlarini yaratish mumkinligi ko'rsatilgan. Bu diodlar kelajakda yuqori chastotali quvvat sensorlari va boshqa elektron qurilmalarda qo'llanilishi mumkin.