Тор зонали Gе 1-х Sn х , (InSb) 1-х (Sn 2 ) х қаттиқ қоришмалари ва уларнинг фотоэлектрик хоссалари
Ushbu doktorlik dissertatsiyasi tadqiqoti Ge1-xSnx (0 ≤ x ≤ 0.03) va (InSb)1-x(Sn2)x (0 ≤ x ≤ 0.05) qattiq eritmalarning struktura, elektro-fizik va foto-elektr xossalarini hamda ularga asoslangan p-n geterostrukturalarni o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda ushbu materiallar uchun muvaffaqiyatli texnologik rejimlar ishlab chiqilgan, ularning tuzilishi, elektro-fizik va foto-elektr xossalari batafsil o'rganilgan va mikrosxemalarda qo'llanilishi bo'yicha tavsiyalar berilgan.
Asosiy mavzular
- Ge1-xSnx qattiq eritmalarning struktura, elektro-fizik va foto-elektr xossalari: Tadqiqotda Ge1-xSnx qattiq eritmalarning epitaksial qatlamlarini o'stirish uchun texnologik rejim ishlab chiqilgan. Ushbu qatlamlarning tuzilishi, nano-kristallitlar hosil bo'lishi, foto-sezgirligi va Spektr o'zgarishlari o'rganilgan. Qarshi spektr diapazoni bo'yicha 0.27 eV ga siljish kuzatilgan, bu germanining elektron-teshik o'tishlariga nisbatan muhimdir.
- (InSb)1-x(Sn2)x qattiq eritmalarning struktura, elektro-fizik va foto-elektr xossalari: Bu mavzu (InSb)1-x(Sn2)x qattiq eritmalarning xossalari bilan bog'liq bo'lib, ularning tuzilishi, diffuziya va drif mexanizmlari hamda fotorezistiv xususiyatlari o'rganilgan. Xususan, bu qattiq eritmalarning qiyin zonasi kengligi aniqlanib, 0.11 eV ekanligi, bu InSb ning qiyin zonasidan 0.07 eV kichikroq ekanligi ko'rsatilgan. Shuningdek, ularning optik o'zlashtirish xususiyatlari ham tadqiq etilgan.
- Ge1-xSnx va (InSb)1-x(Sn2)x asosidagi p-n geterostrukturalar: Tadqiqotda Ge1-xSnx va (InSb)1-x(Sn2)x qattiq eritmalardan tuzilgan p-n geterostrukturalar yaratilgan. Ularning I-V xarakteristikasi o'rganilgan, bu esa umumiy reaktivlik rejimi va elektron-qabul qiluvchi markazlar ishtirokini ko'rsatadi. Ushbu geterostrukturalarning o'tkazuvchanlik mexanizmlari tahlil qilingan va fotosezgirlikning spektral bog'liqligi o'rganilgan.