Energy Spectrum of Defective Centers in Silicon Doped with Molybdenum
Ushbu maqola silikonni molibden bilan legirlash jarayonida hosil bo'ladigan nuqson markazlarining energiya spektrini tadqiq etishga bag'ishlangan. Tadqiqot davomida molibden diffuziya usuli bilan yoki silikonni o'stirish jarayonida qo'shish orqali kiritilgan. Maqolada molibdenning silikonda chuqur sathlar hosil qilishi, ularning ionlanish energiyalari va elektron/teshik tutib olish kesimlari aniqlangan. Xususan, n-Si<Mo> namunalarda Ec-0.20 eV va Ec-0.29 eV, p-Si<Mo> namunalarda esa Ev+0.35 eV chuqur sathlar topilgan. Tadqiqotlar shuni ko'rsatdiki, molibden atomlari silikonda issiqlik ta'sirida hosil bo'ladigan nuqsonlarni kamaytiradi (geter vazifasini bajaradi). Shuningdek, diffuziya orqali kiritilgan molibden atomlarining faqat bir qismi elektr faol ekanligi ta'kidlangan.
Asosiy mavzular
- Molibden bilan legirlangan silikonning chuqur sathlari: Maqolada molibdenning silikonga diffuziya yo'li bilan kiritilganda hosil bo'ladigan nuqson markazlarining energiya spektrini o'rganish asosiy maqsaddir. Tadqiqotda n-Si va p-Si namunalari molibden bilan legirlanib, ularning chuqur sathlari kapasitiv spektroskopiya va fotokapasitiv usullar yordamida aniqlangan. Natijada, n-Si<Mo> namunalarda Ec-0.20 eV va Ec-0.29 eV, p-Si<Mo> namunalarda esa Ev+0.35 eV chuqur sathlar topilganligi ko'rsatilgan.
- Molibdenning silikondagi geter xususiyati: Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatdiki, molibden atomlari silikonda issiqlik ta'sirida hosil bo'ladigan nuqsonlarni kamaytiradi. Bu esa molibden atomlarining geter xususiyatiga ega ekanligini bildiradi, ya'ni ular issiqlik nuqsonlari uchun 'tutuvchi' vazifasini bajaradi.
- Molibdenning elektr faolligi: Diffuziya orqali silikonga kiritilgan molibden atomlarining barchasi ham elektr faol emasligi aniqlangan. Taxminan, kiritilgan molibden atomlarining 20% qismi silikonning elektr faolligiga ta'sir qiladi. Bu xususiyat boshqa elementlar bilan legirlangan silikonlar uchun ham xosdir.