Ион имплантация ва юқори вакуумли ўтқазиш усуллари билан олинган силицид наноплёнкаларнинг структураси ва электрон хусусиятлари

Ushbu dissertatsiya avtoreferati Mustafoeva Nodira Moyliyevnaning ilmiy ishini o'z ichiga oladi. Unda Si yuzasida MeSi2/Si nanostrukturalari, ularning elektron tuzilishi, optik va emissiya xossalari, shuningdek, bu materiallarni tayyorlashning asosiy mexanizmlari tadqiq qilingan. Ishda ion implantatsiyasi va yuqori vakuumli cho'ktirish usullaridan foydalanilgan holda NiSi2 nanoplonkalarning strukturasi va elektron xossalari o'rganilgan.

Asosiy mavzular

• Iон имплантация ва юқори вакуумли ўтқазиш усуллари билан олинган силицид наноплёнкаларнинг структураси ва электрон хусусиятлари: Ushbu bo'limda Si yuzasida ion implantatsiyasi va yuqori vakuumli cho'ktirish usullari yordamida olingan NiSi2 nanoplonkalarning strukturasi va elektron xossalari batafsil o'rganilgan. Tadqiqot natijalari nanoplonkalarning tarkibi, tuzilishi, optik va emissiya xususiyatlarini aniqlashga qaratilgan.
• Kvant-o'lchov effektlarining NiSi2 nanostrukturalarda namoyon bo'lishi: Maqolada NiSi2 nanostrukturalarda kvant-o'lchov effektlarining qaysi o'lchamlarda namoyon bo'lishi tahlil qilingan. Bunda nanofaizalarning o'lchami va shakli hamda ularning elektron tuzilishiga ta'siri o'rganilgan.
• Si/NiSi2/Si(111) geterostrukturalarning tayyorlanishi va tadqiqi: Ushbu bo'limda to'rt qatlamli epitaksial nanoplonka tizimlarini, xususan, Si/NiSi2/Si(111) geterostrukturalarni tayyorlashning nazariy va amaliy jihatlari yoritilgan. Ularning zona-energetik parametrlari aniqlangan va tadqiq qilingan.