Кенг зонали LiF, SiO2, ZnO кристалларида сирт нуқсонлари

Ushbu dissertatsiya ishida keng zonali LiF, SiO2, va ZnO kristallarining yuzasi elektron va ionlar bilan bombardimon qilinganda yuzaga keladigan nuqsonlar va klasterlarning hosil bo'lish qonuniyatlari o'rganilgan. Tadqiqot davomida yuqorida ko'rsatilgan materiallarning yuza holatlari va ular bilan bog'liq boshqa fizik jarayonlar o'rtasidagi o'zaro bog'liqlik o'rnatilgan. Tadqiqotlar natijasida aniqlangan qonuniyatlar asosida yangi mikroelektronik qurilmalar yaratish uchun muhim ahamiyatga ega bo'lgan nazariy va amaliy ma'lumotlar olingan.

Asosiy mavzular

• Keng zonali kristallarda nuqson hosil bo'lishi qonuniyatlari: Elektron va ion nurlanishi ta'sirida LiF, SiO2, va ZnO kristallarning yuzasida nuqsonlar va klasterlarning hosil bo'lish mexanizmlari, ularning energiyaga va dozaga bog'liqligi o'rganildi.
• Yuqori vakuumli chastota spektroskopiyasi (TT) va mass-spektrometriya (VIMS) usullari: Tadqiqotlarda ushbu usullarning qo'llanilishi, jumladan, TT spektroskopiyasining modernizatsiyasi va mass-spektrometriya yordamida nuqsonlarni aniqlash usullari haqida ma'lumot berilgan.
• Kristallar yuzasining modifikatsiyasi va defektlar bilan bog'liq jarayonlar: Elektron va ion bombardimonining kristallar yuzasining fizik-kimyoviy xossalariga, jumladan, oksidlanish, tozalash va adsorbsiya jarayonlariga ta'siri o'rganilgan.