Диэлектрикдаги ва диэлектрик – яримўтказгич чегарасидаги заряд нотекис тақсимотининг МДЯ транзистор характеристикаларига таъсирини моделлаштириш

Ushbu doktorlik dissertatsiyasi "Dielektrikdagi va dielektrik – yarim o'tkazgich chegarasidagi zaryad notekis taqsimotining MDM tranzistorlariga ta'sirini modellashtirish" mavzusiga bag'ishlangan bo'lib, unda nanometrlik o'lchamdagi metall-dielektrik-yarim o'tkazgich (MDM) tranzistorlarining xarakteristikalariga zaryadning notekis taqsimlanishining ta'siri tadqiq etilgan. Tadqiqotda MDM tranzistorlarning o'tkazuvchanlik va sig'im-kuchlanish xarakteristikalariga dielektrik qatlamida va dielektrik-yarim o'tkazgich chegarasida joylashgan zaryadlarning ta'siri modellashtirilgan. Tadqiqot natijalari, zaryadning joylashuvi va miqdoriga qarab tranzistorning chegara kuchlanishi, o'tkazuvchanligi va sig'imiga ta'sirini aniqlashga yordam beradi. Ishda zamonaviy yarim o'tkazgich texnologiyalarini rivojlantirish uchun muhim bo'lgan natijalarga erishilgan.

Asosiy mavzular

MDM tranzistorlarining tuzilishi va xarakteristikalari: Dissertatsiyada MDM tranzistorlarining tuzilishi, jumladan, dielektrik qatlamida va dielektrik-yarim o'tkazgich chegarasidagi zaryadning ta'siri o'rganilgan. Turli xil zaryad taqsimotlarining tranzistorning o'tkazuvchanlik va sig'im-kuchlanish xarakteristikalariga ta'siri modellashtirilgan.
Zaryadning notekis taqsimlanishining ta'siri: Tadqiqotda zaryadning dielektrik qatlamida va dielektrik-yarim o'tkazgich chegarasida notekis taqsimlanishining MDM tranzistorlarining chegara kuchlanishi, o'tkazuvchanligi va sig'im-kuchlanish xarakteristikalariga ta'sir etuvchi mexanizmlar ko'rib chiqilgan. Bu ta'sirni aniqlash uchun nazariy va sonli modellashtirish usullaridan foydalanilgan.
Modellashtirish usullari: MDM tranzistorlarining xarakteristikalarini modellashtirish uchun TCAD Sentaurus dasturi va boshqa zamonaviy hisoblash usullaridan foydalanilgan. Bu usullar zaryadning tranzistor parametrlari ta'sirini aniq baholash imkonini beradi.