Krеmniydа fоsfоr vаgаlliy binаr birikmаlаrining shаkllаnishini bоshqаrish

Ushbu avtoreferat silikon (kremniy) kristall panjarasida fosfor va galliy aralashmalarining binar birikmalari hosil bo'lishini boshqarish texnologiyalarini, ularning elektrofizik, fotoelektrik va optik xususiyatlarini o'rganishga bag'ishlangan doktorlik dissertatsiyasining qisqacha mazmunini o'z ichiga oladi. Tadqiqotda kremniyga fosfor va galliy atomlarini qo'shib diffuziya qilishning optimal sharoitlari aniqlanib, yangi Si₂GaP turidagi birikmalar hosil qilish texnologiyasi ishlab chiqilgan. Ushbu yangi birikmalar asosida tayyorlangan fotoelementlarning sezgirlik diapazoni kengayganligi va ularning samaradorligi yuqori ekanligi ko'rsatilgan.

Asosiy mavzular

Kremniyda fosfor va galliy binar birikmalarining hosil bo'lishi: Kremniy panjarasiga fosfor va galliy atomlarini qo'shish orqali yangi Si₂GaP turidagi binar birikmalarni hosil qilishning termodinamik sharoitlari va optimal texnologik rejimlari aniqlangan. Turli diffuziya usullari (ketma-ket, birgalikdagi, qatlamli) orqali olingan namunalar tahlil qilingan.
Si₂GaP birikmalarining elektrofizik, fotoelektrik va optik xususiyatlari: Hosol bo'lgan Si₂GaP birikmalarining kremniyning elektrofizik, fotoelektrik va optik xususiyatlariga ta'siri o'rganilgan. Elektronlarning harakatchanligi, spektral sezgirlik diapazonining kengayishi kabi parametrlar tadqiq qilingan.
Yuqori samarali fotoelementlar ishlab chiqish: Tadqiqot natijalari asosida Si₂GaP asosidagi geterovarizon strukturali, yuqori samarali va barqaror parametrlarga ega fotoelementlarni tayyorlash bo'yicha tavsiyalar ishlab chiqilgan.