Yarimo‘tkazgichli p-n o‘tishli strukturalarda fermi kvazisatxlariga elektro-magnit to‘lqin va haroratning ta’siri

Ushbu avtoreferat yarimoʻtkazgich tuzilmalarining, xususan p-n oʻtishli yarimoʻtkazgichlarning, tashqi omillar, jumladan yuqori chastotali elektromagnit maydon, yorugʻlik, harorat va deformatsiyaning ta'sirida Fermi kvazisathlari va volt-amper xarakteristikalarining oʻzgarishini oʻrganadi. Tadqiqot natijalari optoelektronik qurilmalarni yaratish va ularning samaradorligini oshirish uchun muhim ahamiyatga ega. Tadqiqotda nazariy va eksperimental usullar qoʻllanilgan.

Asosiy mavzular

Yarimoʻtkazgich tuzilmalarining tashqi omillarga bogʻliqligi: Yuqori chastotali elektromagnit maydon, yorugʻlik, harorat va deformatsiyaning yarimoʻtkazgich tuzilmalarining, xususan p-n oʻtishli diodlarning, Fermi kvazisathlari va volt-amper xarakteristikalariga ta'sirini oʻrganish.
Fermi kvazisathlarining oʻzgarishi va foto-EMF hosil boʻlishi: Yorugʻlik va deformatsiyaning ta'sirida Fermi kvazisathlarining oʻzgarishidan hosil boʻlgan foto-EMF ning hisoblanishi va tahlili.
Elektromagnit maydon va haroratning ta'siri: Yuqori chastotali elektromagnit maydon va haroratning yarimoʻtkazgich tuzilmalarining volt-amper xarakteristikalariga va Fermi kvazisathlariga ta'sirini oʻrganish.
Deformatsiyaning ta'siri: Deformatsiyaning yarimoʻtkazgich strukturalarining zonasi, yutilish koeffitsiyenti va generatsiyalanuvchi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasiga ta'sirini oʻrganish va foto-EMF ni oshirish.