Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmalarini suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari

Ushbu dissertatsiya tadqiqoti yarimoʻtkazgichlar fizikasi va yangi yuqori sifatli, yupqa plyonkali materiallarni olish texnologiyalari sohasidagi nazariy va eksperimental tadqiqotlarga bag'ishlangan. Unda Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x kabi murakkab yarimoʻtkazgichli qattiq qorishmalarni suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari tadqiq etilgan. Tadqiqotda bir qator yangi usullar va texnologiyalar taklif etilgan bo'lib, ular asosida olingan materiallar fotoelektrik va optoelektronik qurilmalarda qoʻllanilishi mumkin.

Asosiy mavzular

• Yarimoʻtkazgich materiallar va ularning texnologiyalari: Tadqiqotda Si, Ge, GaAs, GaP kabi elementlar va ulardan tashkil topgan murakkab yarimoʻtkazgich qattiq qorishmalar, jumladan Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x kabi qattiq qorishmalar haqida ma'lumot berilgan. Ularning suyuqlanma eritmadan olish usullari, fizik-kimyoviy xususiyatlari va strukturaviy xossalari oʻrganilgan.
• Epitaksial plyonkalarni oʻstirish va ularning xossalari: Dissertatsiyada epitaksial plyonkalarni oʻstirishning nazariy asoslari, maqbul fizik-kimyoviy sharoitlari va mexanizmlari tadqiq etilgan. Shuningdek, olingan plyonkalarning strukturasini, fotoelektrik va elektrofizik xossalarini oʻrganish usullari bayon etilgan.
• Qattiq qorishmalar va geterostrukturalarning tadqiqi: Tadqiqotda yarimoʻtkazgich qattiq qorishmalar va ulardan tashkil topgan geterostrukturalarning hosil boʻlish mexanizmlari, ularning fazoviy tuzilishi va xossalari oʻrganilgan. Xususan, Si1-xGex, (GaAs)1-x(ZnSe)x, (Si2)1-x(GaP)x kabi qattiq qorishmalar va ular asosidagi strukturalarning fotoelektrik xossalari tadqiq qilingan.