Ion implantatsiya usuli yordamida GaP yuza va yuza osti qatlamlarida hosil qilingan uch komponentli nanotuzilmalarning tarkibi, tuzilishi va fizik xususiyatlarini oʻrganish

Ushbu dissertatsiya

Asosiy mavzular

• Kirish: Dissertatsiya mavzusining dolzarbligi va zarurati, ilmiy-tadqiqot ishlarining O'zbekiston Respublikasi fan va texnologiyalari rivojlanishining ustuvor yo'nalishlariga mosligi, muammoning o'rganilganlik darajasi, maqsad va vazifalari, tadqiqotning ilmiy yangiligi, amaliy ahamiyati, joriy qilinishi va aprobatsiyasi haqida ma'lumotlar keltirilgan.
• 1-bob. "Molekulyar nurli epitaksiyali GaP plyonkalari va ular asosidagi uchkomponentli plyonkalarning tarkibi, strukturasi va xususiyatlari": Kichik energiyali In+ ionlari implantatsiyasining GaP(111) tarkibi va elektron strukturasiga ta'sirini o'rganish, GalnP/GaP ning emission, optik va elektrofizik xususiyatlarini o'rganish, kichik energiyali ionlar implantatsiya va keyingi qizdirish natijasida GaP yuzasida shakllangan uch komponentli nanoplyonkalarning emission xususiyatlari va elektron tuzilishiga, GaF2 yuzasida AIIBV tipidagi plyonkalarini olish uchun yupqa muvofiqlashtiruvchi qatlam olishga bag'ishlangan.
• 2-bob. "Eksperimental tadqiqotlar metodikasi": Kichik energiyali ion bombardirovkasi va oʻta yuqori vakuum sharoitida atomlarni changlatish orqali o'tqazib keyingi qizdirish (qizdirish, lazerli qizdirish, qizdirishning lazerli qizdirish) usullaridan foydalanib GaP plyonkasi va monokristalining yuza va yuza osti sohalarida nanooʻlchamli strukturalarni olishga bag'ishlangan.
• 3-bob. "Monokristall GaP asosida uch komponentli nanostrukturalar olish va ularning fizik xususiyatlarini oʻrganish": Al⁺ va In⁺ ionlari implantatsiyasi va keying qizdirish usullari yordamida GaP yuzasida yupqa monokristall GaAlP va GalnP plyonkalarini olishga bag'ishlangan.
• 4-bob. "Nanokontaktlar, tarkibi va fizik xususiyatlari oʻzgaruvchan yuzalar, ko'p qatlamli geteroepitaksial sistemalar olish uchun ion va elektron bombardirovkani qoʻllashning istiqbollari": GaP(111) yuzasida nanokontaktlar olishda ion bombardirovka usulidan foydalanish; kichik energiyali elektronlar bombardirovkasining GaP(111) yuza tarkibi va tuzilishiga ta'siri; turli xil ta'sirlar GaP ning hajmiy (pv) va sirtiy solishtirma qarshiliklariga (pc) ta'siri; arsenid asosida ABV tipidagi ko'p qatlamli nanooʻlchamli geteroepitaksial sistemalar olish va ularning qoʻllanilish istiqbollari.
• XULOSA: Dissertatsiyada tadqiqotning asosiy natijalari va xulosalari keltirilgan. Xususan, GaInP/GaP/GaInP/GaP tipidagi ikki qatlamli sistemalar olinganligi va ularning energetik parametrlari aniqlanganligi, nanokristall fazalar va plyonkalarda kvant-oʻlchamli effektlar kuzatilganligi, shuningdek, GaP yuzasida qizdirish va ion implantatsiyasidan so'ng atom tarkibining o'zgarishi tadqiq etilgan.