Исследование электролюминесценции твердого раствора N-GAP-N+-(ZNSE)i.X-Y(Sl2)x(GAP)YrETEPOCTPyKTyP

Maqolada n-GaP-n+-(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining elektroluminessensiyasi bo'yicha olib borilgan tadqiqotlarning eksperimental natijalari keltirilgan. Asosiy komponent sifatida keng zonali yarimo'tkazgich ZnSe tanlangan. Ushbu materiallarning spektral diapazoni va xususiyatlari ko'rib chiqilgan. Shuningdek, turli xil qo'llanilish sohalari, jumladan, infraqizil va ko'rinadigan spektr sohalarida ishlaydigan optoelektron qurilmalar ishlab chiqish uchun potentsial imkoniyatlari o'rganilgan.

Asosiy mavzular

• Elektroluminessensiya: Tadqiqot elektroluminessensiya xususiyatlariga qaratilgan bo'lib, geterostruktura orqali tok o'tganda yorug'lik emissiyasi hodisasini o'z ichiga oladi.
• Geterostrukturalar: Maqolada n-GaP va n+-(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qatlamlaridan tashkil topgan geterostrukturalar o'rganiladi, bu ikki xil yarimo'tkazgich materiallarining interfeysidir.
• Materialshunoslik: (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq eritmalari o'rganiladi, bu ZnSe, Si va GaP birikmalarining xususiyatlarini birlashtirgan yangi materiallardir. Material tarkibidagi x va y nisbatlari uning xususiyatlarini o'zgartirish imkoniyatini beradi.
• Optoelektronika: Tadqiqot natijalari asosida yangi optoelektron qurilmalar, xususan, infraqizil va ko'rinadigan spektr sohalarida ishlaydigan qurilmalar yaratish imkoniyatlari ko'rib chiqiladi.