Эффекты аномально-больших фотонапряжений и фотоэлектретных состояний без внешнего поляризующего поля в пленках si и cdte

Ushbu kitob yarimo'tkazgichli plyonkalar (Si va CdTe) fizikasiga bag'ishlangan bo'lib, unda anomaliya katta fotokuchlanish va tashqi qutblovchi maydonsiz fotoelektret holat hodisalari o'rganilgan. Kitobda plyonkalarning qalinligi bo'yicha taqsimoti, nosimmetrik yoritilish, anomaliya fotomagnit hodisa, fotoelektret holati va relaksatsiya chiziqlari kabi muhim jihatlar ko'rib chiqilgan. Shuningdek, yarimo'tkazgichli plyonkalarni olish, legirlash va faollashtirish texnologiyalari, ularning xususiyatlarini tadqiq qilish, ayniqsa tashqi qutblovchi maydonsiz fotoelektret holatini fotoelektrik usullar bilan o'rganish, nazariyasini yaratish va ular asosida optoelektron qurilma asboblarini yaratish masalalari ham yoritilgan.

Asosiy mavzular

• AФK-hodisa mexanizmini aniqlash usuli: Ushbu mavzuda AФK-hodisa mexanizmini aniqlashning yangi usuli taklif etiladi. Ushbu usul avvalgi usullardan farqli ravishda spektral bog'liqliklar asosida ishlaydi va kuchli yuzaki yutilish holatida qo'llaniladi.
• Burchak ostida o'tkazilgan qatlamlarning qalinlik bo'yicha taqsimoti: Ushbu mavzuda burchak ostida o'tkazilgan qatlamlarning qalinlik bo'yicha taqsimotini aniqlash uchun analitik ifoda keltirib chiqarilgan. Bu ifoda qatlam qalinligi va nuqtaning joylashuvi o'rtasidagi bog'liqlikni belgilaydi.
• CdTe qatlamlarida AФK-hodisa mexanizmlari: Ushbu mavzuda CdTe qatlamlarida AФK-hodisa mexanizmlari aniqlangan. Bu orqali hodisaning fizik tabiatini chuqurroq tushunish imkoniyati yaratiladi.
• Dember, p-n-p –mexanizm asosidagi qatlamlardagi AФK-hodisa nazariyasi: Ushbu mavzuda Dember va p-n-p mexanizmlar asosidagi qatlamlardagi AФK-hodisa nazariyasi ishlab chiqilgan. Bu nazariya hodisaning turli konfiguratsiyalarda qanday namoyon bo'lishini tushuntiradi.
• Bir jinsli va ikki chuqur satxli aralashmali p-n o'tishlarda fotoelektret holati nazariyasi: Ushbu mavzuda bir jinsli va ikki chuqur satxli aralashmali p-n o'tishlarda fotoelektret holati nazariyasi ishlab chiqilgan. Bu nazariya tashqi qutblovchi maydon bo'lmaganda fotoelektret holatini tushuntiradi.
• Tashqi qutblovchi maydonsiz fotoelektret holati kuzatiladigan Si va CdTe qatlamlari olish texnologiyasi: Ushbu mavzuda tashqi qutblovchi maydon bo'lmaganda fotoelektret holati kuzatiladigan Si va CdTe qatlamlarini olish texnologiyasi ishlab chiqilgan. Bu texnologiya amaliy ahamiyatga ega.
• Chuqur satxlarning parametrlarini aniqlash usuli: Ushbu mavzuda chuqur satxlarning parametrlarini aniqlashning yangi usuli taklif qilingan va ishlab chiqilgan. Bu usul chuqur satxlarning elektron qurilmalarga ta'sirini baholashga yordam beradi.