Особенности влияния границы раздела и протяженности области объемного заряда на электрофизические характеристики детекторных структур

Dissertatsiya yadro fizikasining fundamental va amaliy masalalarini hal etishda qo'llaniladigan yarimo'tkazgichli detektorlarning elektrofizik xususiyatlariga bo'linish chegarasi va kengaytirilgan soha zaryadining ta'sirini o'rganishga bag'ishlangan. Unda Si(Li) p-i-n va aSi-Si(Li) tuzilmalarini yaratish texnologiyasi, ularning xarakteristikalari va ishlash mexanizmlari tahlil qilinadi.

Asosiy mavzular

Si(Li) p-i-n va aSi-Si(Li) detektorlarini tayyorlash texnologiyasi: Kremniy plastinkalarini mexanik va kimyoviy ishlov berish, litiy ionlarini diffuziya va dreif qilish, geterostrukturalarni shakllantirishning o'ziga xosliklari ko'rib chiqiladi. Yuqori samarali detektorlar olish uchun optimal shartlar aniqlanadi.
Detektorli strukturalarning elektrofizik xususiyatlari: Kuchlanish-amper va kuchlanish-sig'im xarakteristikalari, fotokuchlanishning o'ziga xosliklari, strukturaviy xususiyatlari va geterostrukturalarning chegaralari o'rganiladi. Detektor xususiyatlariga ta'sir etuvchi omillar aniqlanadi.
Zaryad tashuvchilarining ko'chishi va to'planish jarayonlari: Ionlashtiruvchi nurlanish energiyasini yutish natijasida hosil bo'lgan zaryad tashuvchilarining ko'chishi va to'planish jarayonlari tahlil qilinadi. Elektr maydonining bir hil bo'lmaganligi, defektlar va rekombinatsiya markazlarining ta'siri ko'rib chiqiladi.
Fotokuchlanish jarayonlarining relaksatsiya xususiyatlari: Si(Li) p-i-n strukturalarida fotokuchlanish jarayonlarining relaksatsiyasi tadqiq etiladi. Fotokuchlanish impulsida "chuqur" hosil bo'lishi aniqlanadi va uning sabablari tahlil qilinadi.