Особенности влияния границы раздела и протяженности области объемного заряда на электрофизические характеристики детекторных структур

Ushbu kitob yarimo'tkazgichli detektorlar sohasiga oid bo'lib, unda Si(Li) p-i-n va aSi-Si(Li) strukturalarining elektrofizik xususiyatlariga bo'linish chegarasi va hajmiy zaryad sohasining ta'siri o'rganilgan. Kitobda detektorlarning optimal xususiyatlarini shakllantirish, yangi fizik mexanizmlarni tadqiq qilish, shuningdek, amaliyotda qo'llash imkoniyatlari ko'rib chiqilgan.

Asosiy mavzular

Si(Li) p-i-n va aSi-Si(Li) detektorli strukturalarni ishlab chiqarish texnologiyasi: Ushbu mavzuda katta o'lchamli yuqori samarali detektorli strukturalarni olishning texnologik jarayonlari, xususan, kremniy plastinkalarini mexanik va kimyoviy ishlov berish, litiy ionlarini diffuziyalash va dreyf qilish usullari batafsil bayon etilgan.
Detektorli strukturalarning elektrofizik xususiyatlarini tadqiq qilish: Ushbu mavzu detektorli strukturalarning volt-amper va volt-farad xarakteristikalari, shuningdek, ularning radiometrik ko'rsatkichlari (temnovoy tok, sig'im, energetik o'lchamlari) tahliliga bag'ishlangan. Shuningdek, aSi-Si(Li) geterostrukturalarining bo'linish chegarasi xususiyatlari ham o'rganilgan.
Zaryad tashuvchilarning harakatini o'rganish: Ushbu bo'limda Si(Li) p-i-n strukturalarda zaryad tashuvchilarning harakatini o'rganish, ularning rekombinatsiyasi va fotokuchlanish jarayonlari tahlil qilingan. Xususan, fotokuchlanish impulsida "o'ra" hosil bo'lishi, uning sabablari va detektorning xususiyatlariga ta'siri ko'rib chiqilgan.
Detektorlarning degradatsiyasi: Kitobda Si(Li) p-i-n detektorlarning vaqt o'tishi bilan xususiyatlarining o'zgarishi (degradatsiyasi) masalalari ko'rib chiqilgan. Turli detektorlarning xususiyatlari va ularning vaqt davomida o'zgarish tendensiyalari tahlil qilingan.