Физические основы контактов металл- gaas(gap, inp), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками tibx

Ushbu dissertatsiya Kamolov Amangeldi Bazarbayevich tomonidan yaratilgan boʻlib, metall-GaAs (GaP, InP) kontaktlarining fizik asoslariga bagʻishlangan. Unda toza metallar va amorf TiBx plyonkalari yordamida yaratilgan Schottki toʻsiqli qurilmalarning barqarorligini oshirish mexanizmlari oʻrganilgan. Dissertatsiyada gamma-radiatsiya, mikrotoʻlqinli nurlanish va tezkor termik ishlov berishning taʼsiri tahlil qilingan, shuningdek, yangi texnologik yondashuvlar, xususan, InPning gʻovakli substratlarida suyuq fazali epitaksiya usuli bilan oʻstirilgan avtoepitaksial plyonkalari ishlab chiqilgan.

Asosiy mavzular

Metall-yarimoʻtkazgich kontaktlarining shakllanish mexanizmlari: Metall-yarimoʻtkazgich kontaktlarida mexanik kuchlanishlarning hosil boʻlish mexanizmini tahlil qilish va texnologik omillarning kuchlanishga taʼsirini aniqlash.
Schottki toʻsiqli diodlarining termik barqarorligi: Tezkor termik ishlov berish asosida A3B5 kontaktlarini shakllantirishning fizik-texnologik asoslarini ishlab chiqish va fazalar hosil boʻlishi jarayonlariga taʼsir etish orqali kontakt parametrlarini nazorat qilish.
InPning gʻovakli substratlarida avtoepitaksial plyonkalarni yaratish: Suyuq fazali epitaksiya usuli bilan oʻstirilgan InP n-tipli avtoepitaksial plyonkalarini tayyorlashning yangi texnologik yondashuvini ishlab chiqish va TiBx ning amorf fazasidan foydalangan holda ular uchun omik va toʻsiqli kontaktlarni yaratish.
Tashqi ta’sirlarga chidamlilik: A3B5 asosidagi yarimoʻtkazgich qurilmalarning tashqi taʼsirlarga chidamliligini oʻrganish.