Изучение образования скрытых слоев CoSi2 при высокоэнергетической имплантации ионов Co+ в Si

Ushbu kitob yuqori energiyali Co+ ionlarini Si ga implantatsiya qilish orqali hosil qilingan CoSi2 yashirin qatlamlarining shakllanishini o'rganishga bag'ishlangan. Kitobda epitaksiya usullari, ion implantatsiyasi uskunalari, kobalt ionlarining kremniydagi tarqalish profillari va CoSi2 qatlamlarining hosil bo'lish jarayonlari batafsil ko'rib chiqilgan. Shuningdek, xavfsizlik, iqtisodiy tahlil va adabiyotlar ro'yxati ham keltirilgan.

Asosiy mavzular

Epitaksiya: Epitaksiya usullari, jumladan, gaz fazali epitaksiya, suyuq fazali epitaksiya, molekulyar nurli epitaksiya va qattiq fazali epitaksiya haqida umumiy ma'lumot beriladi.
Ion implantatsiyasi: Ion implantatsiyasi uskunalarining tuzilishi va ishlash tamoyillari, shuningdek, ion manbai, mass-separator va nishon kamerasi kabi asosiy komponentlar muhokama qilinadi.
Kobaltning kremniydagi tarqalish profillari: Kobalt ionlarining kremniydagi tarqalish profillarini hisoblash usullari, TRIM dasturi va uning modifikatsiyalari, shuningdek, atom-emissiya spektrometriyasi (AES) natijalari tahlil qilinadi.
CoSi2 qatlamlarining shakllanishi: CoSi2 qatlamlarining hosil bo'lish mexanizmlari, yadro hosil bo'lishi va o'sishi, radiatsion defektlar va termik ishlov berishning ta'siri o'rganiladi.
Xavfsizlik va iqtisodiy tahlil: Laboratoriya sharoitida xavfsizlik qoidalari, mehnat muhofazasi va iqtisodiy samaradorlik masalalari ko'rib chiqiladi.