Вольтамперные и люкс-амперные характеристики ионно-легированного GaAs

Ushbu kitob GaAs (Gallium Arsenide) ning volt-amper va lyuks-amper xarakteristikalarini ion bilan legirlash orqali o'rganishga bag'ishlangan. Unda GaAs materialining texnologiyasi, kristall tuzilishi, zonalar diagrammasi, metall-yarimo'tkazgich kontaktlari va ion implantatsiyasi kabi asosiy tushunchalar ko'rib chiqiladi. Tajriba qismi etalon va ion implantatsiyalangan GaAs namunalarini tayyorlash, ularga metall kontaktlarini o'rnatish va olingan xarakteristikalarni tahlil qilishni o'z ichiga oladi. Tadqiqot natijalari ion implantatsiyasi GaAsning fotoelektrik xususiyatlarini yaxshilashga yordam berishini ko'rsatadi.

Asosiy mavzular

GaAs texnologiyasi: GaAsni olish usullari, monokristallarni o'stirish va suyuq fazali epitaksiya kabi jarayonlar tasvirlangan.
Kristall tuzilishi va zonalar diagrammasi: GaAsning kristall tuzilishi, zonalar diagrammasi va uning elektron xususiyatlari muhokama qilinadi.
Metall-yarimo'tkazgich kontaktlari: Shottki to'siqlari, omik kontaktlar va ularning xususiyatlari tushuntirilgan.
Ion implantatsiyasi: Ion implantatsiyasining asosiy tamoyillari, jarayon parametrlari va GaAsga ta'siri ko'rib chiqiladi.
Tajriba natijalari: Etalon va ion implantatsiyalangan GaAs namunalarining volt-amper va lyuks-amper xarakteristikalari taqqoslanadi. Ion implantatsiyasi fotoelektrik sezgirlikni oshirishi aniqlangan.
Xavfsizlik choralari: Iон implantatsiyasi qurilmalarida ishlashda xavfsizlik qoidalari va mumkin bo'lgan xavflar keltirilgan.