Особенности влияния границы раздела и протяженности области объемного заряда на электрофизические характеристики детекторных структур

Ushbu kitob yarim o'tkazgichli detektorlar, xususan litiy diffuziyasi va ion dreyfi orqali hosil qilingan p-i-n strukturalari hamda aSi-Si(Li) geterostrukturalarining elektrofizik xususiyatlariga bag'ishlangan. Unda detektorlarning chegaralari va hajmli zaryad sohasining ta'siri o'rganilgan. Asosiy maqsad yuqori samarali detektorlar yaratish va ularning ish faoliyatini ta'minlovchi fizik mexanizmlarni tushunishdir.

Asosiy mavzular

Litiy diffuziyasi va ion dreyfi: Litiy diffuziyasi va ion dreyfi jarayonlari orqali yarim o'tkazgich materiallarda p-i-n strukturalarini hosil qilish texnologiyasi. Ushbu jarayonlar detektorlarning elektrofizik xususiyatlariga ta'sirini o'rganish.
p-i-n strukturalari: p-i-n strukturalarining tuzilishi, xususiyatlari va ularning yarim o'tkazgichli detektorlardagi roli. Ushbu strukturalar orqali yuqori sezuvchanlikka ega detektorlar yaratish.
aSi-Si(Li) geterostrukturalari: Amorf kremniy (aSi) va litiy bilan kompensatsiyalangan kremniy (Si(Li)) asosidagi geterostrukturalarning tuzilishi, xususiyatlari va qo'llanilishi. Ushbu geterostrukturalar detektorlarning samaradorligini oshirishga yordam beradi.
Detektorlarning elektrofizik xususiyatlari: Detektorlarning tok-kuchlanish va sig'im-kuchlanish xarakteristikalari, foto o'tkazuvchanlik va boshqa elektrofizik xususiyatlari. Ushbu xususiyatlarning detektorlarning ishlashiga ta'siri.
Detektorlardagi zaryad tashuvchilarning harakati: Detektor ichida zaryad tashuvchilarning harakati va rekombinatsiya jarayonlari. Ushbu jarayonlarning detektorning sezgirligi va energiya o'lchash qobiliyatiga ta'siri.