Исследование энергетической зависимости концентрации электронов в a:si-h методом компьютерного моделирования
Ushbu maqola a:Si-H da elektronlarning energetik bog'liqligini kompyuterda modellashtirish orqali o'rganishga bag'ishlangan. Maqolada past haroratlarda kvant o'tishlarining mexanizmlari kompyuter modellashtirish usuli asosida o'rganilganligi ta'kidlangan. Shuningdek, amorf kremniyning monokristallga nisbatan afzalliklari, xususan, arzonligi ham keltirilgan. Amorf yarimo'tkazgichlarning ion bombardimoniga uchrashi ularni o'rganishning asosiy usullaridan biri ekanligi ta'kidlangan. Maqolada ionlarning sochilish burchagi bog'liqligining shakli atomlar va kanallangan ionlar o'rtasidagi potensial energiya haqida ma'lumot berishi ham aytilgan.
Asosiy mavzular
- Kompyuterda modellashtirish orqali past haroratli kvant o'tishlari: Ushbu mavzu kompyuterda modellashtirish usuli yordamida past haroratlarda kvant o'tishlarining mexanizmlarini o'rganishga qaratilgan.
- Amorf kremniyning afzalliklari: Amorf kremniy monokristallga nisbatan arzonroq va quyosh elementlarida qo'llanilishi mumkin.
- Ion bombardimoni orqali amorf yarimo'tkazgichlarni o'rganish: Ion bombardimoni amorf yarimo'tkazgichlarni o'rganishning asosiy usullaridan biri hisoblanadi va ionlarning sochilish burchagi bog'liqligi atomlar o'rtasidagi potensial energiya haqida ma'lumot beradi.
- Potensial energiyalar tahlili: Maqolada potensial energiyalar tahlili keltirilgan bo'lib, unda turli xil sochilish usullari, jumladan, Rezerford, Bor va Lindxard sochilishlari ko'rib chiqiladi. Alfa zarrachalarining a-Si:H atomlarida sochilish modeli o'rganiladi.