Кадмий сульфиди ва кремний орасидаги гетероўтишлар асосидаги инжекцион фотодиодлардаги электрон жараёнлар
Ushbu dissertatsiya ishi "n⁺CdS – nCdS – pSi va n⁺CdS – nCdS – nSi-geotetrouzular asosidagi injeksion fotodiodlarda elektron jarayonlari" mavzusiga bag'ishlangan bo'lib, unda CdS plyonkalarini kremniy substratlarida qo'llash texnologiyasi, ulardan tayyorlangan injeksion fotodiodlarning volt-amper, volt-farad va spektral xarakteristikalarini tahlil qilish hamda CdS va kremniy asosidagi geteroprekhodlar orqali tok o'tishi mexanizmlarini o'rganish asosiy maqsadi qilib olingan. Tadqiqot natijalari injeksion fotodiodlarning yangi turlarini yaratish va ularning samaradorligini oshirish uchun muhim ahamiyatga ega.
Asosiy mavzular
- Kirish: Dissertatsiya mavzusining dolzarbligi va zarurati, mamlakatimizdagi fan va texnologiyalar rivojlanishining ustuvor yo'nalishlari bilan bog'liqligi, muammoning o'rganilganlik darajasi, maqsad va vazifalar, tadqiqot ob'ekti, predmeti va usullari, ilmiy yangilik va natijalarning ilmiy hamda amaliy ahamiyati haqida ma'lumot berilgan.
- Yuqori samarali injeksion fotodiodlar va geteroprekhodlar: Birinchi bobda turli injeksion fotopriyomniklar, ularning xossalari, asosiy xarakteristikalar va rivojlanish tendentsiyalari ko'rib chiqiladi. Ikkinchi bobda injeksion fotodiodlarning tayyorlanish texnologiyalari va ularning asosiy parametrlariga bag'ishlangan.
- Mexanizmlar va xarakteristikalar: Uchinchi bobda CdS plyonkalarining morfologik tadqiqotlari va CdS asosidagi geterostrukturalarning spektral xarakteristikasi o'rganilgan. To'rtinchi bobda esa injeksion fotodiodlarning volt-amper xarakteristikasi va tok o'tish mexanizmlari tahlil qilingan.
- Xulosa: Dissertatsiya natijalariga ko'ra, injeksion fotodiodlarning tok o'tish mexanizmlari, dinamik va statik xarakteristikalarini tushuntiruvchi elektron jarayonlari aniqlangan va ularning nazariy va amaliy ahamiyati asoslab berilgan.