Электронная структура тонких эпитаксиальных плёнок Si/CoSi2

Ushbu kitobda Oʻzbekiston Respublikasi Milliy universiteti tomonidan 2017-yilda oʻtkazilgan „Neyrovonlik jarayonlari yarim oʻtkazgichlar va yarim oʻtkazgich tuzilmalarida“ mavzusidagi Respublika ilmiy konferensiyasi materiallari jamlangan. Konferensiya Oʻzbekiston Fanlar akademiyasi akademigi A.T. Mamadaliimovning 70-yilligiga bagʻishlangan. Kitobda yarim oʻtkazgichlar va ularning tuzilmalaridagi noyob jarayonlar, xususan, „Elektron tuzilishi va epitaksial qatlamlar Si/CoSi2“ kabi mavzular chuqur oʻrganilgan. Zamonaviy texnologiyalar, jumladan, lazer nurlanishi va yuqori vakuumli uskunalar yordamida yarim oʻtkazgich materiallarining tuzilishi va xususiyatlarini yaxshilash boʻyicha tadqiqotlar keltirilgan.

Asosiy mavzular

Neyrovonlik jarayonlari yarim oʻtkazgichlar va yarim oʻtkazgich tuzilmalarida: Konferensiyaning bosh mavzusi boʻlib, yarim oʻtkazgichlar va ularning murakkab tuzilmalarida kechadigan noekvilibrium jarayonlarni oʻrganishga qaratilgan. Bu jarayonlar materiallarning fizik xususiyatlari va elektronika sohasidagi qoʻllanilishini tushunish uchun muhimdir.
Elektron tuzilishi va epitaksial qatlamlar Si/CoSi2: Ushbu mavzu Si/CoSi2 (100) chegarasida oʻstirilgan Si nozik plyonkalarining tarkibi, tuzilishi va sirt xususiyatlarini molekulyar-nurli epitaksia usuli yordamida oʻrganishga bagʻishlangan. Tadqiqotlar materiallarning texnologik ishlov berish (ion implantatsiyasi, tavlanish) jarayonida qanday oʻzgarishlarga uchraganligini ochib beradi.
Lazer nurlanishi va tavlanish ta'siri: Materiallarda lazer nurlanishining ta'siri, xususan, Si/CoSi2 tizimlarida tavlanish jarayonida tuzilmalarning yaxshilanishi va nozik nuqsonlarning yoʻqotilishi boʻyicha tadqiqotlar keltirilgan. Bunda turli energiya zichliklarining ta'siri ham koʻrib chiqilgan.