А25. ФОРМИРОВАНИЕ БИНАРНЫХ КЛАСТЕРОВ В РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Ushbu maqola kremniy asosidagi quyosh elementlarining samaradorligini oshirishning yangi fizik asoslarini ko'rib chiqadi. Tadqiqotda kremniy kristall panjarasiga III va V guruh elementlarini qo'shib, yangi binar elementar yacheykalar hosil qilish taklif etiladi. Bu usul orqali fotoelementlarning samaradorligini sezilarli darajada oshirish mumkinligi, shuningdek, energiya konversiyasi samaradorligini ko'paytirish va ishlab chiqarish xarajatlarini kamaytirish imkoniyatlari ko'rsatiladi. Maqolada shuningdek, bunday materiallardan tayyorlangan fotoelementlarning spektral xarakteristikalari ham keltirilgan.

Asosiy mavzular

Kremniy Quyosh Elementlarining Samaradorligini Oshirish: Maqolada kremniy asosidagi quyosh elementlarining samaradorligini oshirishning yangi usullari, jumladan, binar elementar yacheykalarni yaratish orqali erishish mumkin bo'lgan natijalar tahlil qilinadi.
Binar Elementar Yacheykalar va Ularning Qurilishi: Quyosh elementlarining samaradorligini oshirish maqsadida kremniy kristall panjarasiga III va V guruh elementlarini qo'shib, yangi binar elementar yacheykalar hosil qilish jarayoni, shu jumladan, Si2GaSb va GaSb tuzilmalari ko'rib chiqiladi.
Fotoelementlarning Spektral Xarakteristikasi: Tadqiqotda yaratilgan yangi fotoelementlarning spektral xarakteristikasi ko'rsatilgan va mavjud sanoat fotoelementlari bilan solishtirilgan.