А25. ФОРМИРОВАНИЕ БИНАРНЫХ КЛАСТЕРОВ В РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
Ushbu maqola kremniy yarimo'tkazgichlarida binar klasterlarni shakllantirish va ularning fotoelektr xossalarini tadqiq qilishga bag'ishlangan. Tadqiqotda, turli xil qo'shimcha atomlarning (III va V, II va VI, VI guruhlarning o'tish elementlari) kremniy panjarasiga kirib, hajmiy nanostrukturali yarimo'tkazgichlarni shakllantirish va ularning keng spektrli yorug'likni yutish qobiliyatini oshirish imkoniyatlari ko'rsatib berilgan. Binar klasterlarning Sі₂Ga-Sb+, Sі₂Ni-Se++, Sі₂Zn-Se++ kabi turlari va ularning tuzilishi sxematik ravishda tasvirlangan. Maqolada, shuningdek, bunday materiallar asosida yangi avlod yuqori sezgirlikdagi fotopriyomniklar va optoelektronik moslamalar yaratish istiqbollari ham tilga olingan.
Asosiy mavzular
- Binar klasterlarni shakllantirish: Maqolada kremniy yarimo'tkazgichlarida binar klasterlarni hosil qilishning termodinamik sharoitlari, jumladan, qo'shimcha atomlarning elektro-fizik, kimyoviy va diffuzion xossalari muhokama qilinadi. III va V, II va VI, hamda VI guruhning o'tish elementlari bilan legirlash orqali turli xil binar nanoklasterlarning (masalan, Si₂Ga-Sb+, Si₂Ni-Se++, Si₂Zn-Se++) hosil bo'lishi tushuntiriladi. Ushbu klasterlar Si ning sp³ bog'lanishini buzmay, balki uni yaxshilashi va elektron-neytral molekulalar hosil qilishi ta'kidlanadi.
- Binar klasterlarning fotoelektr xossalari: Tadqiqotda binar klasterlarga ega bo'lgan kremniyning fotoelektr xossalari, xususan, ularning spektral o'ziga xosliklari o'rganilgan. Binar klasterlarning mavjudligi materialning keng spektrdagi yorug'likni yutish qobiliyatini oshirishiga olib keladi, bu esa yuqori sezgirlikdagi fotopriyomniklar va optoelektronik moslamalar yaratish uchun asos bo'lib xizmat qiladi. Maqolada Si₂Ga-Sb+ va boshqa binar klasterlarga ega kremniyning fotoo'tkazuvchanlik spektrlari keltirilgan.
- Nanokompozit materiallar: Maqolada binar klasterlar yordamida nafaqat hajmiy nanostrukturalar, balki kengroq yarimo'tkazgich birikmalarining (AIBV, AIIBVI) nanokristallari ham hosil qilinishi mumkinligi aytib o'tiladi. Bu esa yarimo'tkazgich materiallar va ularga asoslangan moslamalarning funksional xossalarini sezilarli darajada kengaytirishga imkon beradi.