Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb

Ushbu maqolada kremniy asosida yangi yarim o'tkazgich material yaratish konsepsiyasi ilgari suriladi. Ushbu material quyosh nurlanishining deyarli butun spektrini yutishga qodir. Tadqiqotda kremniy panjarasida galliy (Ga) va surma (Sb) atomlari ishtirokida yangi elementar yachaklarni hosil qilishning fizik mohiyati tushuntirilgan. Tadqiqot natijasida yarim o'tkazgichli materiallarning quyosh energiyasini olishdagi samaradorligini oshirish imkoniyati ko'rsatilgan.

Asosiy mavzular

Yangi yarim o'tkazgich material yaratish: Quyosh energiyasini olish samaradorligini oshirish maqsadida kremniy asosida yangi yarim o'tkazgich material yaratish konsepsiyasi. Ushbu material quyosh nurlanishining deyarli butun spektrini yutishga qodir.
Elementar yachaklarni hosil qilish: Kremniy panjarasida galliy (Ga) va surma (Sb) atomlari ishtirokida yangi elementar yachaklarni hosil qilish jarayoni va uning fizik mohiyati.
Materialning xossalari: Yangi hosil qilingan yarim o'tkazgich materialning xossalari, jumladan, keng spektrli yutilish qobiliyati va uning quyosh energiyasini olishdagi ahamiyati.