Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb

Ushbu maqola kremniy kristalli panjarasida yangi elementar uyalar hosil qilish usuli haqida. Tadqiqot natijasida Ga va Sb atomlari ishtirokida kremniy asosida yangi yarimo'tkazgichli material yaratilgan. Bu material quyosh energiyasidan samarali foydalanish imkoniyatini oshiradi, chunki u quyosh spektrining keng diapazonini qamrab oladi. Tadqiqotda materialning tuzilishi, xossalari va uni o'rganish usullari batafsil bayon etilgan.

Asosiy mavzular

• Yangi elementar uyalar hosil qilish: Maqolada kremniy panjarasida Ga va Sb atomlari bilan yangi elementar uyalar hosil qilish jarayoni tasvirlangan. Bu jarayon kremniyning elektro-fizik xossalarini yaxshilashga qaratilgan.
• Yarimo'tkazgichli materiallar va fotoenergetika: Hozirgi yarimo'tkazgichli materiallarning fotoenergetikadagi imkoniyatlari cheklanganligi va samaradorlikni oshirish zaruriyati ko'rsatilgan. Taklif etilayotgan yangi material quyosh energiyasini yanada samaraliroq ishlatishga yordam beradi.
• Materialning tuzilishi va xossalari: Rivojlangan elementar uyalar kremniy panjarasining to'liqligini buzmasdan, uni termodinamik jihatdan qulayroq holatga keltirishi va qo'shimcha o'zgarishlarni rag'batlantirishi aytib o'tilgan. Rentgen-strukturaviy tahlil va atom-kuch mikroskopiyasi natijalariga ko'ra, bunday uyalar mavjudligi tasdiqlangan.