ОПТОЭЛЕКТРОНИКА ФАНИ БЎЙИЧА ЛАБОРАТОРИЯ ҚУРИЛМАЛАРИДАН ФОЙДАЛАНИШ ИМКОНИЯТЛАРИ
Ushbu maqola kremniy (Si) yarim o'tkazgichlarida binari klasterlarining hosil bo'lishi va ularning fotoelektrik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda dastlab monoatomli va monomolekulyar klasterlarni hosil qilish va ularning xossalarini o'rganish bo'yicha ko'plab ma'lumotlar mavjudligi ta'kidlanadi. Shuningdek, ikki turdagi atomlardan tashkil topgan binari klasterlarni hosil qilish, ayniqsa kremniy kristallarida ularning hosil bo'lishi muhimligi qayd etiladi. Buning asosiy sabablari sifatida hajmiy nanostrukturalangan yarim o'tkazgichlar olish imkoniyatlari va bu materiallarning funksional xossalarini kengaytirish hamda yangi fizik hodisalarni kashf etish ko'rsatib o'tilgan. Maqolada III va V guruh, II va VI guruh elementlari, shuningdek, VI guruh elementlari bilan o'tish gruppasi elementlarining ishtirokida binari nanoklasterlar hosil qilish usuli, ya'ni "past haroratli" legirovka usuli haqida so'z yuritiladi. Binari klasterlarning hosil bo'lishi uchun termodinamik sharoitlar, asosan, aralash atomlarning elektro-fizik va kimyoviy parametrlari hamda diffuzion xususiyatlari bilan belgilanadi. Maqolada Si₂Ga-Sb⁺, Si₂Ni-Se⁺⁺, Si₂Zn-Se⁺⁺ kabi neytral molekulalar shaklidagi binari klasterlar hosil bo'lishi va ularning kremniy strukturasi bilan o'zaro ta'siri, xususan, Si₃d qismlarining buzilmasligi va natijada yuqori sezuvchanlikka ega bo'lgan fotoqabul qilgichlarni yaratish imkoniyati haqida so'z boradi. Maqolada binari klasterlar bilan legirlangan kremniyning spektral qiyosiy xarakteristikalarini ko'rsatuvchi grafiklar keltirilgan va ularning keng spektral sohada quyosh energiyasidan foydalanish imkoniyatlari ta'kidlangan.
Asosiy mavzular
- Binari klasterlarning hosil bo'lishi: Maqolada, asosan, kremniy yarim o'tkazgichlari asosida ikki turdagi atomlardan tashkil topgan binari klasterlarning hosil bo'lish jarayoni, usullari va sharoitlari haqida ma'lumot beriladi. Xususan, past haroratli legirovka usuli orqali III-V, II-VI va o'tish elementlarining Si bilan klasterlar hosil qilishi tahlil qilinadi.
- Binari klasterlarning fotoelektrik xossalari: Ushbu mavzu doirasida, hosil qilingan binari klasterlarning kremniy yarim o'tkazgichlarida fotoelektrik xossalariga ta'siri o'rganiladi. Klasterlar mavjudligida yarim o'tkazgichlarning keng spektral sohada quyosh nurini yutish qobiliyati va bu orqali yuqori sezuvchanlikka ega fotoqabul qilgichlar yaratish imkoniyatlari ko'rib chiqiladi.
- Nanostrukturalangan yarim o'tkazgichlar: Maqolada nanoklasterlar hosil qilish orqali hajmiy nanostrukturalangan yarim o'tkazgich materiallar yaratishning ahamiyati ta'kidlanadi. Bu esa materiallarning yangi fizik xossalarini ochishga va ularning funksional imkoniyatlarini kengaytirishga olib kelishi qayd etiladi.