ВЛИЯНИЯ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Со + НА СОСТАВ И СВОЙСТВА СВОБОДНЫХ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР Si-Си

Ushbu kitobda "Yettinchi Xalqaro Fizik Elektronika Konferentsiyasi"da taqdim etilgan ma'ruzalar to'plami keltirilgan. Konferensiya Toshkentda 2018-yilda bo'lib o'tgan. Kitobda Si-Cu (100) geterotugunlarining tarkibi va xossalari, kobalt ionlari bilan nurlantirishning ta'siri, Si-Cu tuzilmalarida Cu atomlarining diffuziya chuqurligi kabi masalalar yoritilgan. Mualliflar Si-Cu qatlamlariga Co+ ionlari bilan nurlantirishdan so'ng hosil bo'ladigan CoSi2 qatlamlari haqida tadqiqot natijalarini taqdim etishadi. Ma'lumotlar jadval ko'rinishida, ya'ni nurlantirishdan oldingi va keyingi davrlarda o'lchangan ba'zi fizik parametrlar keltirilgan.

Asosiy mavzular

• Kobalt ionlari bilan nurlantirishning Si-Cu qatlamlari tarkibi va xossalariga ta'siri: Maqolada Si-Si (100) yuzasiga kobalt ionlari bilan nurlantirish natijasida hosil bo'lgan strukturalarning tarkibi va atomlarining chuqurlik bo'yicha taqsimlanish profillari o'rganilgan. Tadqiqotlar shuni ko'rsatadiki, ion bilan nurlantirishdan so'ng oksigen va uglerodning yuzadagi konsentratsiyasi sezilarli darajada kamayadi va bu CoSi2 qatlamlarining hosil bo'lishiga olib keladi.
• Si-Cu qatlamlarining fizik parametrlari: Jadvalda Si-Cu qatlamlarining (nurlantirishdan oldin va keyin) ba'zi asosiy fizik parametrlari keltirilgan. Bularga qatlamlarning hosil bo'lish harorati, kobalt ionlarining o'tish chuqurligi, mis atomlarining diffuziya chuqurligi va CoSi2 qatlamining qalinligi hamda solishtirma qarshiligi kiradi.