Качество и безопасность пищевых продуктов, а также информационные технологии в системе мониторинга. Важнейшая составляющая санитарно-эпидемического благополучия населения.

Ushbu kitobda "Yettinchi Xalqaro Fizik Elektronika Konferentsiyasi" materiallari to'plami joy olgan. Konferentsiyada "Si-Si qatlamli tuzilmalarining Co+ ionlari bilan implantatsiyasining tarkibi va xususiyatlariga ta'siri" mavzusidagi tadqiqotlar keltirilgan. Tadqiqotda Si-Si (100) geterofilm yuzasi va chuqurlik bo'yicha atomlar taqsimlanishining tarkibi hamda Si-Si qatlamli tuzilmalariga Co+ ionlarini implantatsiya qilish natijalari o'rganilgan. Tadqiqotda Si-Si qatlamli tuzilmalarining Co+ ionlari bilan bombardimon qilinishi va keyinchalik qizdirilishi natijasida CoSi2 qatlamlari hosil bo'lishi tasdiqlangan. Shuningdek, Si-Si qatlamli tuzilmalarining fizikaviy parametrlariga implantatsiyaning ta'siri o'rganilgan.

Asosiy mavzular

Si-Si qatlamli tuzilmalarining Co+ ionlari bilan implantatsiyasining tarkibi va xususiyatlariga ta'siri: Mazkur mavzu doirasida Si-Si (100) geterofilm yuzasi va chuqurlik bo'yicha atomlar taqsimlanishining tarkibi hamda Si-Si qatlamli tuzilmalariga Co+ ionlarini implantatsiya qilish natijalari o'rganilgan. Tadqiqotda Si-Si qatlamli tuzilmalarining Co+ ionlari bilan bombardimon qilinishi va keyinchalik qizdirilishi natijasida CoSi2 qatlamlari hosil bo'lishi aniqlangan.
Si-Si qatlamli tuzilmalarining fizikaviy parametrlariga implantatsiyaning ta'siri: Ushbu mavzu bo'yicha Si-Si qatlamli tuzilmalarining o'lchangan ba'zi fizikaviy parametrlarining ion implantatsiyasidan oldin va keyin qanday o'zgarganligi jadval ko'rinishida keltirilgan. Bunda tuzilmalarning hosil bo'lish harorati, ionlarning chuqurlik bo'yicha tarqalishi va boshqa xususiyatlar o'rganilgan.