«Degradation effects In au–pt–gaas schottky barrier Diodes induced by their active treatment”

Ushbu maqola Au-Pt-n-n+-GaAs Shottki diodlarining tuzilmalarini faol ishlov berish orqali degradatsiyasi natijasida yuzaga keladigan effektlarni o'rganadi. Tadqiqot mikroto'lqinli nurlanish va uzoq muddatli termal ishlov berishning Pt-GaAs interfeysi va Shottki kontakti bar'er xususiyatlariga ta'sirini tahlil qiladi. Maqolada ushbu ta'sirlar natijasida bar'er parametrlarining yomonlashishi, xususan, bar'er balandligining pasayishi va ideallik koeffitsientining oshishi haqida ma'lumot berilgan. Tadqiqot natijalari Au atomlarining GaAs ichiga kirib borishi va dislocations hosil bo'lishi mumkinligini ko'rsatadi, bu esa Shottki bar'erining degradatsiyasiga olib keladi.

Asosiy mavzular

• Shottki diodlarining degradatsiyasi: Maqolada Au-Pt-n-n+-GaAs Shottki diodlarining mikroto'lqinli nurlanish va termal ishlov berish natijasida degradatsiyasi o'rganiladi. Degradatsiya sabablari, jumladan, Pt-GaAs interfeysining buzilishi va dislocations hosil bo'lishi tahlil qilinadi.
• Mikroto'lqinli nurlanish va termal ishlov berishning ta'siri: Ushbu mavzu mikroto'lqinli nurlanish va 300 °C da 10 soat davomida termal ishlov berishning Shottki diodlarining bar'er xususiyatlariga ta'sirini ko'rib chiqadi. Natijada bar'er balandligining pasayishi va ideallik koeffitsientining oshishi qayd etilgan.
• Interfeys va materiallar tarkibining o'zgarishi: Maqolada Au va Pt kabi metallarning GaAs bilan interfeysi vaqt o'tishi bilan o'zgarishi, Au atomlarining GaAs ichiga kirib borishi va platina arsenidlari hosil bo'lishi mumkinligi tahlil qilingan.