🔍

Решение вопросов безопасности и защиты информации в частном “облаке” образовательного учреждения

Ushbu kitobda bulutli texnologiyalarni tashkil etish, xavfsizlikni ta'minlash va apparat resurslarini boshqarish masalalari ko'rib chiqilgan. Mualliflar virtualizatsiya turlarini tahlil qiladi, xavf-xatarlarni aniqlaydi va bulutli infratuzilmalarni loyihalash, xavfsizlik qoidalarini ishlab chiqish bo'yicha tavsiyalar beradi.

🔑 Kalit soʻz🎯 74.0%

Янги турдаги композицион қўшимчали портландцементлар олиш технологиясини ишлаб чиқиш

Ushbu avtoreferat Gulsanam Tursunova tomonidan yozilgan va u ommabop portladcementlar uchun yangi turdagi kompozitsion qo'shimchalar bilan yangi texnologiyalar ishlab chiqish mavzusiga bag'ishlangan. Tadqiqotda mahalliy xomashyo (TAMD, ohaktosh, KFSF, ABOS) asosida yangi kompozitsion qo'shimchalarni (KP) tanlash, ularning kimyoviy va mineralogik tarkibi, gidravlik va puzzolan faolligini o'rganish, hamda yangi turdagi kompozitsion portladcementlar (KPC) ishlab chiqarish texnologiyasini ishlab chiqish ko'zda tutilgan. Tadqiqotda KPC ning jismoniy-mexanik xususiyatlariga ta'sir etuvchi omillar, ularning gidratlanish jarayonlari va mikrostruktura shakllanishi o'rganilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.3%

Защита абонентских линии от несанкционированного доступа

Ushbu kitobda telekommunikatsiya tarmoqlarida axborot xavfsizligini ta'minlash masalalari, xususan abonent liniyalarini himoya qilish usullari ko'rib chiqiladi. Unda abonent liniyalaridagi xavfsizlik tahdidlari, ularga qarshi kurashish usullari, shifrlash texnologiyalari va normativ hujjatlar tahlil qilinadi. Kitob telekommunikatsiya sohasidagi mutaxassislar va talabalar uchun mo'ljallangan.

🔑 Kalit soʻz🎯 72.6%

СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ И УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПОМ

Ushbu kitobda Si-Cu qatlamli tuzilmalariga kobalt (Co⁺) ionlari bilan implantatsiya ta'sirining tahlili berilgan. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, kobalt ionlari bilan bombardimon qilish va keyinchalik termik ishlov berish, qalin Si-Cu qatlamlari kabi, Si-Cu tuzilmalarida CoSi₂ fazasining hosil bo'lishiga olib keladi. Shuningdek, implantatsiyadan so'ng Cu ning Si ichidagi diffuziyasi sezilarli darajada oshadi, bu esa olingan materialning elektr va strukturali xususiyatlariga ta'sir qiladi.

🔑 Kalit soʻz🎯 72.5%

СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ И УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПОМ

Ushbu kitobda "Yettinchi Xalqaro Fizik Elektronika Konferensiyasi" doirasida taqdim etilgan ma'ruzalar to'plami keltirilgan. Asosiy e'tibor "Bo'sh Katlamli Si-Cu Strukturalarining Si-Cu Tarkibi va Xususiyatlariga Co+ Ionlari Implantatsiyasining Ta'siri" mavzusiga qaratilgan. Tadqiqotda Si-Cu (100) geterofilmning yuzasi va atom taqsimotining chuqurlik profillari ustida Co+ ionlari implantatsiyasining ta'siri o'rganilgan. Ishda Si vakuum kameralarida gazdan tozalash jarayoni, Sining kislorod va uglerod bilan ifloslanishi, shuningdek, bu ifloslanishning jonli implantatsiya natijasida kamayishi haqida ma'lumot berilgan. Ta'kidlanishicha, Co+ ionlari bilan bombardimon qilish va keyingi termik ishlov berish CoSi2 nanoplankalari hosil bo'lishiga olib keladi. Kitobda Si-Cu pleankalari ning fizik parametrlari, jumladan, Si-Cu hosil bo'lish harorati, CoSi2 hosil bo'lish harorati, Co+ ionlarining Si ga kirib borish chuqurligi, Cu diffuziya chuqurligi va CoSi2 pleankalari qalinligi haqida ma'lumotlar jadval ko'rinishida keltirilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 72.5%