Ushbu kitob yarim o'tkazgichlardagi fotokimyoviy hodisalarni o'rganishga bag'ishlangan. Unda fotokimyoviy hodisalarning asosiy tushunchalari, xususiyatlari va ularning turli yarim o'tkazgich materiallaridagi namoyon bo'lishi ko'rib chiqiladi. Kitobda fotokimyoviy elementlarning ishlash tamoyillari va ularning amaliy qo'llanilishi ham muhokama qilinadi.
Ushbu kitob yarimo'tkazgich materiallarida atomlarning diffuziya jarayonlarini chuqur o'rganishga bag'ishlangan. Unda diffuziya nazariyasi, kristall panjaralarining tuzilishi, nuqsonlar, termodinamik xususiyatlar va ularning material xossalariga ta'siri kabi muhim mavzular batafsil yoritilgan. Kitob yarimo'tkazgich asboblar ishlab chiqarishda diffuziya jarayonlarining ahamiyatini ochib beradi va ushbu sohada ilmiy tadqiqotlar olib borish uchun mustahkam asos yaratadi.
Ushbu dissertatsiya O'zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi kengashda himoya qilingan.
Ushbu magistrlik dissertatsiyasi yarimo‘tkazgichlardagi atomlar diffuziyasi nazariy asoslariga bag‘ishlangan bo‘lib, bu sohadagi tadqiqotlar yarimo‘tkazgich materiallar va asboblar texnologiyasini rivojlantirish uchun muhim ahamiyatga ega ekanligi ta’kidlanadi. Dissertatsiyada kristallardagi nuqsonlar, diffuziya mexanizmlari, turli xil elementlarning diffuziya xususiyatlari va ularga ta’sir etuvchi omillar nazariy jihatdan ko‘rib chiqilgan. Shuningdek, kremniy monokristallarida kirishma atomlarning diffuziyasi, xususan, 3d-o‘tish elementlarining xatti-harakati batafsil tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari yarimo‘tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda qo‘llanilishi mumkin bo‘lgan amaliy ahamiyatga ega xulosalarni o‘z ichiga oladi.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar fizikasiga bag'ishlangan bo'lib, ularning asosiy xususiyatlari, tuzilishi, energetik holatlari va ularda kechadigan hodisalar batafsil yoritilgan. Kitobda yarimo'tkazgichlarda Fermi-Dirak taqsimoti, erkin zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi, p-n o'tish kabi muhim mavzular ko'rib chiqiladi. Materiallar elektron texnikasida qo'llanilishi, xususan kremniy va germaniynining xususiyatlariga alohida e'tibor qaratilgan.
Ushbu avtoreferat, Xashayev Muslim Musagitovichning "AIBV keng zonali yarim o'tkazgichlarda bo'sh joy va kiritmalarning o'z-o'zicha shakllanish jarayonlarining rivojlanish mexanizmi" nomli dissertatsiya ishiga bag'ishlangan bo'lib, unda yarim o'tkazgichlar fizikasi, xususan, keng zonali yarim o'tkazgichlardagi muammolar atroflicha o'rganilgan. Dissertatsiyada kiritmalar va bo'sh joylarning o'z-o'zicha shakllanish jarayonlari, ularning rivojlanish mexanizmlari hamda bu jarayonlarning yarim o'tkazgichli asboblarning ishlashiga ta'siri tahlil qilingan.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichlarda atomlarning diffuziyasi nazariyasiga bag'ishlangan. Unda kristall panjaralarda atomlarning harakati, diffuziya mexanizmlari va ularga ta'sir etuvchi omillar, xususan, nuqsonlar va muhit sharoitlari batafsil tahlil qilingan. Kitobda, shuningdek, kremniy va germaniydagi kirishmalar diffuziyasining o'ziga xos xususiyatlari ham ko'rib chiqilgan. Tadqiqot natijalari yarimo'tkazgichli asboblar ishlab chiqarish texnologiyalarini optimallashtirish uchun muhim ahamiyatga ega.
Ushbu maqola kuchli legirlangan yarim o‘tkazgichlarda taqiq-langan zona kengligining o‘zgarishini o‘rganadi. Tadqiqotda legirlash darajasi va haroratga bog‘liq ravishda taqiq-langan zona kengligini o‘zgartirishga imkon beruvchi model taqdim etilgan. Model yordamida yarim o‘tkazgichlarning energiya spektridagi o‘zgarishlar, xususan, taqiq-langan zonaning o‘zgarishi tahlil qilingan. Maqolada tegishli nazariy va eksperimental ma'lumotlar keltirilgan bo‘lib, maqolada berilgan model va tadqiqot natijalari yarim o‘tkazgichlar fizikasi va materialshunoslik sohasidagi tadqiqotlar uchun muhim ahamiyat kasb etadi. Maqolada Si(Ni) yarim o‘tkazgich materialining legirlanishi natijasida uning taqiq-langan zonasi 0.3 eV ga yaqin qiymatga erishishi ko‘rsatilgan.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi yarimo'tkazgichlar va ular asosida yaratilgan elektron asboblar, xususan, diodlar haqida ma'lumot beradi. Unda yarimo'tkazgichli diodlarni yaratish texnologiyalari, ularning xususiyatlari va qo'llanilishi ko'rib chiqiladi. Shuningdek, turli xil yarimo'tkazgichli qurilmalarning tuzilishi va ish printsipialari ham o'rganiladi.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi yarimo'tkazgichlar fizikasi va texnologiyasiga bag'ishlangan bo'lib, unda yarimo'tkazgichli diodlarning ishlash prinsiplari, tuzilishi, tayyorlash usullari va xususiyatlari batafsil ko'rib chiqilgan. Ishda p-n o'tishlarining hosil bo'lishi, ularning volt-amper xarakteristikalari, turli diod tuzilmalari (nuqtaviy, tekis, epitaksial, planar) va ularni tayyorlash texnologiyalari tahlil qilingan. Shuningdek, metall-yarimo'tkazgich kontaktlarining xususiyatlari va getero'tishlardagi jarayonlar ham o'rganilgan.