GaAs (arsenid galliy)li asbobli strukturalarga radiatsiya va lazer ta’sirlaridan keyin volt-amper xarakteristikasini o’zgarishini o'rganish

Ushbu kitob Arsenid Galliy (GaAs) asosida tayyorlangan yarimo'tkazgichli asboblar, xususan diodlar va tranzistorlarning radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi volt-amper va elektrofizik xarakteristikalarining o'zgarishini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda asosiy maqsad sifatida yarimo'tkazgichli asboblar va strukturalarning sifatini yaxshilash va ularning ishonchliligini baholash ko'rsatilgan. Kitobda yarimo'tkazgichli materiallarning o'ziga xos xususiyatlari, ularni o'rganish metodikasi, hamda eksperimental natijalar va ularning tahlili batafsil yoritilgan. Ayniqsa, Shottki baryerli diodlar va ularning mikroplazmalik teshilishi, radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi ularning parametrlarining o'zgarishi batafsil ko'rib chiqilgan.

Asosiy mavzular

GaAs asosidagi yarimo'tkazgichli asboblar va ularga radiatsiya va lazer ta'sirining o'rganilishi: Bu bobda GaAs asosidagi diod va tranzistorlarning turlari, ularning ishlash prinsipi, degradatsiya mexanizmlari, metall-yarimo'tkazgich strukturalarda nuqsonlarning tabiati va xossalari nazariy tahlil qilingan. Shuningdek, radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi ularning elektrofizik xarakteristikalarining o'zgarishi ham ko'rib chiqilgan.
Metall-yarimo'tkazgich strukturalarning xususiyatlarini tadqiq qilish metodikasi: Bu bobda yarimo'tkazgichli strukturalarning elektrofizik xususiyatlarini o'rganish metodikasi, jumladan, "MODUL-2" modulyatsion differensiallash metodi, hamda degradatsiyaga sababchi parametrlarni aniqlash metodlari batafsil tushuntirilgan.
Eksperiment natijalari va ularning tushuntirilishi: Uchinchi bobda keltirilgan eksperimental natijalar va ularning tahlili asosida, radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi arsenid galliyli asboblar va strukturalarning volt-amper va elektrofizik xarakteristikalarining o'zgarishi, shuningdek degradatsion jarayonlar va ularning natijalari batafsil ko'rsatilgan va izohlangan.