Bosh sahifa>Qidiruv natijalari
🔍

GaAs (arsenid galliy)li asbobli strukturalarga radiatsiya va lazer ta’sirlaridan keyin volt-amper xarakteristikasini o’zgarishini o'rganish

Ushbu kitob Arsenid Galliy (GaAs) asosida tayyorlangan yarimo'tkazgichli asboblar, xususan diodlar va tranzistorlarning radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi volt-amper va elektrofizik xarakteristikalarining o'zgarishini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda asosiy maqsad sifatida yarimo'tkazgichli asboblar va strukturalarning sifatini yaxshilash va ularning ishonchliligini baholash ko'rsatilgan. Kitobda yarimo'tkazgichli materiallarning o'ziga xos xususiyatlari, ularni o'rganish metodikasi, hamda eksperimental natijalar va ularning tahlili batafsil yoritilgan. Ayniqsa, Shottki baryerli diodlar va ularning mikroplazmalik teshilishi, radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi ularning parametrlarining o'zgarishi batafsil ko'rib chiqilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

«Degradation effects In au–pt–gaas schottky barrier Diodes induced by their active treatment”

Ushbu maqola Au-Pt-n-n+-GaAs Shottki diodlarining tuzilmalarini faol ishlov berish orqali degradatsiyasi natijasida yuzaga keladigan effektlarni o'rganadi. Tadqiqot mikroto'lqinli nurlanish va uzoq muddatli termal ishlov berishning Pt-GaAs interfeysi va Shottki kontakti bar'er xususiyatlariga ta'sirini tahlil qiladi. Maqolada ushbu ta'sirlar natijasida bar'er parametrlarining yomonlashishi, xususan, bar'er balandligining pasayishi va ideallik koeffitsientining oshishi haqida ma'lumot berilgan. Tadqiqot natijalari Au atomlarining GaAs ichiga kirib borishi va dislocations hosil bo'lishi mumkinligini ko'rsatadi, bu esa Shottki bar'erining degradatsiyasiga olib keladi.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Вольтамперные и люкс-амперные характеристики ионно-легированного GaAs

Ushbu kitob O'zbekiston Respublikasi Oliy va O'rta Maxsus Ta'lim Vazirligi tomonidan tasdiqlangan Toshkent Davlat Texnika Universitetining "Elektronika va avtomatika" fakulteti, "Nazariy elektrotexnika va elektron texnologiyalari" kafedrasida yozilgan "Voltamper va lyuks-amper xarakteristikalari ion bilan legirlangan GaAs" mavzusidagi bitiruv malakaviy ishidir. Unda yarimo'tkazgichli elektronika, xususan, GaAs materialining xususiyatlari, texnologiyalari va ularning amaliyotdagi qo'llanilishi haqida ma'lumot berilgan. Ishda, shuningdek, GaAs asosidagi asbob-uskunalarning voltamper va lyuks-amper xarakteristikalariga ion implantatsiyasining ta'siri o'rganilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Вольтамперные и люкс-амперные характеристики ионно-легированного GaAs

Ushbu kitob GaAs (Gallium Arsenide) ning volt-amper va lyuks-amper xarakteristikalarini ion bilan legirlash orqali o'rganishga bag'ishlangan. Unda GaAs materialining texnologiyasi, kristall tuzilishi, zonalar diagrammasi, metall-yarimo'tkazgich kontaktlari va ion implantatsiyasi kabi asosiy tushunchalar ko'rib chiqiladi. Tajriba qismi etalon va ion implantatsiyalangan GaAs namunalarini tayyorlash, ularga metall kontaktlarini o'rnatish va olingan xarakteristikalarni tahlil qilishni o'z ichiga oladi. Tadqiqot natijalari ion implantatsiyasi GaAsning fotoelektrik xususiyatlarini yaxshilashga yordam berishini ko'rsatadi.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Itterbiy atominiń gAaS ha`m aLgAaS epitaksial plenkalariniń optikaliq qa`siyetlerine ta`siri

Ushbu dissertatsiya AlGaAs/GaAs va GaAs tipidagi yarim o'tkazgichli yupqa plyonkalarning optik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan bo'lib, unda itterbiy atomlarining qatlam qalinligi va konsentratsiyasiga qarab nurlanish spektrlarining o'zgarishi tadqiq etilgan. Tadqiqot natijalari yarim o'tkazgichli materiallarning qo'llanilish sohalarini kengaytirishga yordam beradi. Ishda itterbiy atomlarining AlGaAs/GaAs strukturalarining optik va elektrofizikaviy xossalariga ta'sirini o'rganish maqsad qilingan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Физические основы контактов металл- gaas(gap, inp), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками tibx

Ushbu dissertatsiya Kamolov Amangeldi Bazarbayevich tomonidan yaratilgan boʻlib, metall-GaAs (GaP, InP) kontaktlarining fizik asoslariga bagʻishlangan. Unda toza metallar va amorf TiBx plyonkalari yordamida yaratilgan Schottki toʻsiqli qurilmalarning barqarorligini oshirish mexanizmlari oʻrganilgan. Dissertatsiyada gamma-radiatsiya, mikrotoʻlqinli nurlanish va tezkor termik ishlov berishning taʼsiri tahlil qilingan, shuningdek, yangi texnologik yondashuvlar, xususan, InPning gʻovakli substratlarida suyuq fazali epitaksiya usuli bilan oʻstirilgan avtoepitaksial plyonkalari ishlab chiqilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +

Ushbu maqola Si(111) monokristallining yuzasini tozalashning yangi usulini taqdim etadi. Usul past energiyali Ba ionlari bilan bombardimonlash va yuqori haroratli termal ishlov berishni o'z ichiga oladi. Ushbu usul materialning tozaligini va kristalli tuzilishini yaxshilashga qaratilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +

Ushbu maqolada Si (111) monokristallarining yuzasi uchun qo'shimcha tozalash usuli taqdim etiladi. Ushbu usul vakuumda termik ishlov berish va ionli bombardimonlashni o'z ichiga oladi, so'ngra Ba+ ionlari yoki boshqa ishqoriy metallar bilan bombardimonlash va yuqori haroratda qisqa muddatli (1 min) termik ishlov berish orqali ularni olib tashlash bilan yakunlanadi. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, Ba+ ionlari va ishqoriy elementlarning qo'shimcha tozalash effekti, ular faol bo'lib, aralashmalar (O, C, S, N va boshqalar) bilan birikmalar hosil qiladi va keyingi yuqori haroratli ishlov berishda olib tashlanadi. Maqolada Si (111) monokristallining tozalash jarayonining turli bosqichlari va ularning natijalari tahlil qilingan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Влияние ионной имплантации на состояние поверхности пленок GaAs

Ushbu kitob GaAs (galliy arsenid) plenkalarining yuzasiga ion implantatsiyasining ta'sirini o'rganadi. Unda turli usullar, jumladan, tez elektron diffraktsiyasi (DHE), skanerlovchi elektron mikroskopiyasi (SEM) va energiyaga bog'liq koeffitsientlarni o'lchash orqali past energiyali ion implantatsiyasining topografik va kristall tuzilishiga ta'siri tahlil qilinadi. Mualliflar GaAs plenkalarining yuzasini tozalash uchun optimal haroratni, ion implantatsiyasining ta'sirini va keyingi tavlanishning kristall tuzilishiga ta'sirini o'rganadilar. Bundan tashqari, kitobda Ba, Ga va As atomlaridan tashkil topgan uch komponentli birikmalarning shakllanishi batafsil bayon etilgan. Mualliflar yuzani tozalash uchun optimal haroratni aniqlaydilar va aralashtirish, klaster shakllanishi va epitasial o'sish kabi jarayonlarni o'rganadilar. Ushbu kitob yarimo'tkazgichli materiallarning yuzasi bilan ishlash uchun uslublar bilan qiziquvchilarga mos keladi.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%