Zol-gel cho‘ktirish usulida o‘stirilgan ZnO:Al plyonkalarining tuzilmaviy, optik va elektrofizik xossalarini tadqiq qilish

Ushbu kitobda "Zol-gel cho'ktirish usulida oʻstirilgan ZnO:Al plyonkalarining tuzilmaviy, optik va elektrofizik xossalarini tadqiq qilish" mavzusida olib borilgan tadqiqot natijalari asosida xulosalar va bu tadqiqotning ilmiy va amaliy ahamiyati bayon etilgan. Tadqiqotda Al atomlari bilan legirlangan ZnO plyonkalarining tuzilishi, optik va elektrofizik xossalari o'rganilgan. Tadqiqot natijalari asosida "FOTON" AJ va "Oʻzeltexsanoat" kabi kompaniyalarda yarimoʻtkazgichli elektron qurilmalar ishlab chiqarishda foydalanish mumkinligi ko'rsatilgan.

Asosiy mavzular

• Zol-gel cho'ktirish usulida oʻstirilgan ZnO:Al plyonkalarining tuzilmaviy, optik va elektrofizik xossalarini tadqiq qilish: Ushbu bobda Al atomlari bilan legirlangan ZnO plyonkalarining tuzilishi, morfologiyasi, elektrofizik va optik xossalari oʻrganilgan. Jumladan, rentgen difraksiyasi, atom kuchi mikroskopi, optik spektrlar va boshqa usullar yordamida materialning turli xossalari tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari koʻrsatdiki, Al atomlari bilan legirlash ZnO plyonkalarining strukturasini, optik va elektrofizik xossalarini sezilarli darajada oʻzgartiradi. Bu oʻzgarishlar optoelektron qurilmalarda ularning qoʻllanilishini kengaytiradi.
• Tadqiqotning ilmiy yangiligi va amaliy ahamiyati: Tadqiqotning ilmiy yangiligi shundaki, ilk bor Zol-gel usulining takomillashtirilgan usuli yordamida Al legirlangan ZnO plyonalari oʻstirilgan va ularning optimal texnologik shart-sharoitlari aniqlangan. Amaliy ahamiyati esa, bu plyonalarning yarimoʻtkazgichli qurilmalar, jumladan, sensorlar, tranzistorlar va fotoelektrik tizimlarda qoʻllanilish imkoniyati mavjudligi bilan belgilanadi.
• Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: Tadqiqot natijalari asosida olingan xulosalar fizika-matematika fanlari doktori Sh.X. Yoʻlchiyevning "Yarimoʻtkazgichlarda atomlar diffuziyasi" nomli oʻquv qoʻllanmasiga kiritilgan. Shuningdek, "FOTON" AJda ishlab chiqariladigan yarimoʻtkazgichli elektron qurilmalarni tayyorlashda qoʻllanilgan.