KREMNIY PANJARASIDA A III B V GURUH ELEMENTLARINI ELEMENTAR YACHEYKALARINI SHAKLLANTIRISH

Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarining kichik miqdorda kiritilishi orqali yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarini yaratish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqot natijasida Si₂A™BV turidagi elementar yacheykalar va A™BV nanoklasterlar hosil qilish mumkinligi ko'rsatilgan. Bunday yangi materiallar optoelektronika va fotoenergetika sohalarida qo'llanilishi mumkin.

Asosiy mavzular

Yangi yarim o'tkazgich materiallar yaratish: Maqolada yarim o'tkazgichlar fanida yangi avlod materiallarini yaratishning nazariy va amaliy jihatlari ko'rib chiqiladi. Xususan, kremniy panjarasiga III va V guruh elementlarini kiritish orqali Si₂A™BV turidagi elementar yacheykalar hosil qilish texnologiyasi o'rganilgan.
Elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasi: Ushbu bo'limda kremniy panjarasida III va V guruh elementlarining atomlarini kiritish orqali Si₂A™BV turidagi elementar yacheykalarni va A™BV nanoklasterlarni hosil qilish texnologiyasi tushuntiriladi. Bunda past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasidan foydalaniladi.
O'tkazgichlarning optik va fotoelektrik xususiyatlari: Tadqiqot natijasida olingan Si₂Ga Sb va Si₂Ga P turkumidagi elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlari tahlil qilingan. Xususan, ularning taqiqlangan zona kengligi aniqlangan.
Kelajakdagi qo'llanilish sohalari: Yangi yaratilgan yarim o'tkazgich materiallarining kelajakda optoelektronikada yangi tur infraqizil fotodatchiklar va yuqori samarali fotoelementlar yaratishda qo'llanilishi mumkinligi ta'kidlangan.