Ushbu referat kremniyning kimyoviy xususiyatlari, tabiatda tarqalishi, olinishi va ishlatilishi, shuningdek, silikat sanoati, sement ishlab chiqarish va keramika kabi sohalardagi ahamiyatiga bag'ishlangan. Unda kremniyning kislorodli birikmalari, silikatlar va ularning xususiyatlari batafsil yoritilgan.
Qisqacha mazmun mavjud emas.
Ushbu maqola kremniy (Si) kristal panjarasida III va V guruh elementlari (masalan, Ga va Sb) bilan qo'shilgan holda yangi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqot natijasida kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlari yaxshilangan yangi avlod yarim o'tkazgich materiallari yaratilishi mumkinligi ko'rsatilgan. Bu esa kelajakda optoelektronikada yangi turdagi infraqizil fotodatchiklarni va samaradorligi yuqori bo'lgan fotoelementlarni yaratishga yordam beradi.
Ushbu maqola kremniy panjarasiga III va V guruh elementlarini qo'shib, Si₂A^III B^V ko'rinishidagi elementar yacheykalarni hosil qilish texnologiyasini o'rganadi. Yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarini yaratish, ularning optik va fotoelektr xususiyatlarini yaxshilash, shu jumladan, quyosh elementlarining samaradorligini oshirishga qaratilgan tadqiqotlar bayon etilgan. Maqolada past haroratli, ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi yordamida kremniyning termodinamik sharoitlarda qayta ishlanishi natijasida monoatomli, monomolekulyar va binar atomli tuzilmalar hosil bo'lishi haqida ma'lumot beriladi. Shuningdek, bunday elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniyning fotoelektr spektral xarakteristikalarini oshirish yo'llari ko'rsatilgan.
Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarini qo'shib, Si2AB ko'rinishidagi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Ushbu texnologiya yarim o'tkazgichlarning yangi avlodini yaratish imkonini beradi, bu esa yuzada va hajmdagi konsentratsiyasini boshqariladigan elementar yacheykalardan iborat materiallarni olishga yordam beradi. Tadqiqotda past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi qo'llanilgan holda, III va V guruh elementlari atomlari kirishmalar sifatida kiritilib, kremniy monokristal panjaralarida monoatomli, monomolekulyar va binar atomlarni hosil qilish mumkinligi ko'rsatilgan. Bunda yuza va hajmdagi Si2AB elementar yacheykalar yoki alohida AB nanokristallar kabi binar klasterlarni hosil qilish mumkinligi ta'kidlangan.
Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarining kichik miqdorda kiritilishi orqali yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarini yaratish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqot natijasida Si₂A™BV turidagi elementar yacheykalar va A™BV nanoklasterlar hosil qilish mumkinligi ko'rsatilgan. Bunday yangi materiallar optoelektronika va fotoenergetika sohalarida qo'llanilishi mumkin.
Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarining qo'shilishi orqali yarim o'tkazgich materiallarining yangi avlodini yaratish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqot natijasida Si₂AIBV ko'rinishidagi elementar yacheykalar hosil qilish mumkinligi ko'rsatilgan. Bu esa yuza va hajmda konsentratsiyasi boshqariladigan elementar yacheykalardan iborat materiallar olish imkonini beradi. Maqolada bunday materiallarning optik va fotoelektrik xususiyatlari ham tahlil qilingan.
Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarini (masalan, Ga va Sb) qo'llash orqali yangi turdagi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Bu esa yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarni yaratishga imkon beradi. Ishda past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi qo'llanilgan holda, kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlarini o'zgartirish usullari ko'rib chiqiladi. Tadqiqot natijalari Si₂GaSb va Si₂GaP kabi elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniy namunalarining optik va fotoelektrik xususiyatlari o'zgarganligini ko'rsatadi, bu esa kelajakda yangi avlod optoelektronika va fotoenergetika qurilmalarini yaratishda muhim ahamiyat kasb etadi.
Ushbu maqola kremniy (Si) kristal panjarasida III va V guruh elementlarini qo'shib, yangi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqotda yarim o'tkazgichlar fanida muhim ahamiyatga ega bo'lgan ushbu jarayonning ilmiy va amaliy jihatlari ko'rib chiqiladi. Yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarini yaratish, ularning yuza va hajmda konsentratsiyasini boshqarish imkoniyati ta'kidlanadi. Maqolada past haroratli, ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi orqali kremniy atomlarining xossalalarini o'zgartirish usullari, xususan, III va V guruh elementlarining atomlari qo'shilganda hosil bo'ladigan monoatomli, monomolekulyar va binar atomlar (klasterlar) haqida so'z boradi. Si2GaSb va Si2GaP kabi elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlari tahlil qilinib, ularning spektral xarakteristikasi keltirilgan. Tadqiqot natijalari kelajakda optoelektronika, fotoenergetika sohalarida yuqori samarali fotoelementlar yaratishga xizmat qilishi qayd etilgan.
Ushbu kitob Oʻzbekiston Respublikasi Namangan muhandislik-texnologiya instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi Ilmiy kengashda fizika-matematika fanlari boʻyicha falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasining avtoreferatidir. Doktorant Qurbonaliyev Qobiljon Qosimjon oʻgʻlining dissertatsiyasi "Kremniy sirtidagi marganes oliy silitsidining elektrofizik va fototermik xususiyatlari" mavzusiga bag'ishlangan. Avtoreferatda tadqiqotning dolzarbligi, uning ilmiy yangiligi, amaliy ahamiyati, tadqiqot natijalarining joriy qilinganligi, shuningdek, asosiy xulosalar bayon etilgan. Tadqiqotda marganes oliy silitsid – kremniy strukturasi asosida termobatareyalarni va infraqizil nur fotopriyomniklarni yaratish texnologiyasi ishlab chiqilgan.