KREMNIY PANJARASIDA A III B V GURUH ELEMENTLARINI ELEMENTAR YACHEYKALARINI SHAKLLANTIRISH
Ushbu maqola kremniy panjarasiga III va V guruh elementlarini qo'shib, Si₂A^III B^V ko'rinishidagi elementar yacheykalarni hosil qilish texnologiyasini o'rganadi. Yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarini yaratish, ularning optik va fotoelektr xususiyatlarini yaxshilash, shu jumladan, quyosh elementlarining samaradorligini oshirishga qaratilgan tadqiqotlar bayon etilgan. Maqolada past haroratli, ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi yordamida kremniyning termodinamik sharoitlarda qayta ishlanishi natijasida monoatomli, monomolekulyar va binar atomli tuzilmalar hosil bo'lishi haqida ma'lumot beriladi. Shuningdek, bunday elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniyning fotoelektr spektral xarakteristikalarini oshirish yo'llari ko'rsatilgan.
Asosiy mavzular
- Kremniy panjarasida elementar yacheykalarni shakllantirish: Maqolada yarim o'tkazgichlar fanida katta ahamiyatga ega bo'lgan kremniy panjarasida III va V guruh elementlarini impurity sifatida foydalanib, Si₂A^III B^V ko'rinishidagi elementar yacheykalarni hosil qilish texnologiyasi o'rganilgan. Bunda yarim o'tkazgichlarning yangi avlodi yuzada va hajmda kontsentratsiyasi boshqariladigan elementar yacheykalardan iborat materiallar olish imkonini beradi.
- Yangi avlod yarim o'tkazgichlar: Kelajakda elektronika sohasining rivojlanishi uchun yangi avlod yarim o'tkazgichlarni yaratish talab etiladi. Bu o'tkazgichlar fizik xususiyatlari va dastlabki parametrlari jihatidan hozirgilaridan farq qiladi va ko'plab ustunliklarga ega bo'ladi. Maqolada bunday materiallarni yaratish yo'llari, jumladan, past haroratli diffuziya texnologiyasi yordamida kremniyga impurity qo'shish orqali erishish mumkinligi haqida so'z boradi.
- Diffuziya texnologiyasi va nano tuzilmalar hosil bo'lishi: Yarim o'tkazgich materiallarni legirlashning yangi usuli sifatida past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi taklif etiladi. Bu texnologiya yordamida kremniyning ma'lum bir termodinamik sharoitlarda qayta ishlanishi natijasida III va V guruh elementlarining impurity atomlari sifatida kiritilib, Si monokristali panjaralari monoatomli, monomolekulyar va binar atomlarini hosil qilishi mumkinligi ta'kidlanadi.
- Fotoelektrik xususiyatlarni yaxshilash: Maqolada kremniyda hosil qilingan Si₂Ga Sb va Si₂Ga P^⁺ kabi elementar yacheykalarga ega bo'lgan namunalarning optik va fotoelektrik xususiyatlari tadqiq qilingan. Bunda bunday tuzilmalarning taqiqlangan zona kengligini o'zgartirish orqali quyosh elementlarining samaradorligini oshirish mumkinligi ko'rsatilgan. Jumladan, fotoelementlarning olinadigan tokini oshirish va ularning spectral area of sensitivity ni kengaytirish imkoniyatlari yoritilgan.