KREMNIY PANJARASIDA A III B V GURUH ELEMENTLARINI ELEMENTAR YACHEYKALARINI SHAKLLANTIRISH

Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarini qo'shib, Si2AB ko'rinishidagi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Ushbu texnologiya yarim o'tkazgichlarning yangi avlodini yaratish imkonini beradi, bu esa yuzada va hajmdagi konsentratsiyasini boshqariladigan elementar yacheykalardan iborat materiallarni olishga yordam beradi. Tadqiqotda past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi qo'llanilgan holda, III va V guruh elementlari atomlari kirishmalar sifatida kiritilib, kremniy monokristal panjaralarida monoatomli, monomolekulyar va binar atomlarni hosil qilish mumkinligi ko'rsatilgan. Bunda yuza va hajmdagi Si2AB elementar yacheykalar yoki alohida AB nanokristallar kabi binar klasterlarni hosil qilish mumkinligi ta'kidlangan.

Asosiy mavzular

• Kremniy panjarasida III va V guruh elementlarini qo'shish: Maqolada kremniy (Si) panjarasiga III va V guruh elementlari (masalan, Ga va Sb) atomlarini kiritish orqali yangi materiallar yaratish texnologiyasi ko'rib chiqiladi. Bu jarayon Si2AB ko'rinishidagi elementar yacheykalarni shakllantirishga olib keladi.
• Yarim o'tkazgichlarning yangi avlodini yaratish: Ushbu texnologiya yarim o'tkazgichlarning yangi avlodini yaratish imkonini beradi. Bu materiallar yuzada va hajmdagi konsentratsiyasini boshqariladigan elementar yacheykalardan iborat bo'ladi, bu esa ularning funktsional xususiyatlarini yaxshilaydi.
• Past haroratli diffuziya texnologiyasi: Maqolada past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasidan foydalanish orqali kremniy monokristallari panjarasida monoatomli, monomolekulyar va binar atomlarni hosil qilish usuli tavsiflanadi. Bu texnologiya materiallarning asosiy va fizik parametrlarini boshqarishga yordam beradi.
• Binar klasterlar va Si2AB elementar yacheykalar: Tadqiqotda yuza va hajmdagi Si2AB ko'rinishidagi elementar yacheykalar yoki alohida AB nanokristallar shaklidagi binar klasterlar hosil bo'lishi mumkinligi ko'rsatilgan. Bu esa kremniy kristall panjarasining tetraedrik kovalent bog'lanishlarini buzmasdan amalga oshiriladi.
• Fotoelektrik va optik xususiyatlar: Maqolada Si2GaSb va Si2GaP kabi elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniy namunalarining fotoelektrik va optik xususiyatlari tekshirilgan. Bu materiallarning optik va fotoelektrik xususiyatlari yangi avlod fotoelementlar va infraqizil fotodatchiklarni yaratishda muhim ahamiyatga ega.