KREMNIY PANJARASIDA A III B V GURUH ELEMENTLARINI ELEMENTAR YACHEYKALARINI SHAKLLANTIRISH
Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarining qo'shilishi orqali yarim o'tkazgich materiallarining yangi avlodini yaratish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqot natijasida Si₂AIBV ko'rinishidagi elementar yacheykalar hosil qilish mumkinligi ko'rsatilgan. Bu esa yuza va hajmda konsentratsiyasi boshqariladigan elementar yacheykalardan iborat materiallar olish imkonini beradi. Maqolada bunday materiallarning optik va fotoelektrik xususiyatlari ham tahlil qilingan.
Asosiy mavzular
- Yarim o'tkazgichli materiallar: Ushbu mavzu yarim o'tkazgichli materiallarning asosiy va funksional imkoniyatlarini, ularning nazariy jihatdan o'rganilganligini va amaliyotda qo'llanilishini ko'rib chiqadi. Kelajakda elektronika sohasining rivojlanishi uchun yangi avlod yarim o'tkazgichlarni yaratish zarurligi ta'kidlanadi.
- Kremniy panjarasida III va V guruh elementlarining qo'shilishi: Maqolada kremniy panjarasiga III va V guruh elementlarini qo'shish orqali Si₂AIBV ko'rinishidagi elementar yacheykalarni hosil qilish texnologiyasi o'rganilgan. Bu esa yuza va hajmda konsentratsiyasi boshqariladigan elementar yacheykalardan iborat materiallar olish imkonini beradi.
- Elementar yacheykalar va nanoklasterlar: Tadqiqotda kremniy panjarasida monoatomli, monomolekulyar va binar atomlarni hosil qilish orqali Si₂AIBV elementar yacheykalar yoki alohida AIBV nanoklasterlar hosil qilinishi mumkinligi ko'rsatilgan. Bunda kremniy kristall panjarasining tetraedrik kovalent bog'lanishlari buzilmasligi ta'kidlangan.
- Yarim o'tkazgichlarning optik va fotoelektrik xususiyatlari: Maqolada Si₂GaSb va Si₂GaP elementar yacheykalariga ega bo'lgan kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlari tahlil qilingan. Fotoelementlarning spektral xarakteristikasi ham keltirilgan va ularning samaradorligini oshirish bo'yicha takliflar berilgan.