KREMNIY PANJARASIDA A III B V GURUH ELEMENTLARINI ELEMENTAR YACHEYKALARINI SHAKLLANTIRISH
Ushbu maqola kremniy (Si) kristal panjarasida III va V guruh elementlarini qo'shib, yangi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqotda yarim o'tkazgichlar fanida muhim ahamiyatga ega bo'lgan ushbu jarayonning ilmiy va amaliy jihatlari ko'rib chiqiladi. Yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarini yaratish, ularning yuza va hajmda konsentratsiyasini boshqarish imkoniyati ta'kidlanadi. Maqolada past haroratli, ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi orqali kremniy atomlarining xossalalarini o'zgartirish usullari, xususan, III va V guruh elementlarining atomlari qo'shilganda hosil bo'ladigan monoatomli, monomolekulyar va binar atomlar (klasterlar) haqida so'z boradi. Si2GaSb va Si2GaP kabi elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlari tahlil qilinib, ularning spektral xarakteristikasi keltirilgan. Tadqiqot natijalari kelajakda optoelektronika, fotoenergetika sohalarida yuqori samarali fotoelementlar yaratishga xizmat qilishi qayd etilgan.
Asosiy mavzular
- Yangi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasi: Maqolada kremniy panjarasida III va V guruh elementlarini qo'shib, Si2AB ko'rinishidagi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasi o'rganilgan. Bu yarim o'tkazgichlarning yangi avlodini yaratishga va ularning yuza hamda hajmda konsentratsiyasini boshqarishga imkon beradi.
- Past haroratli diffuziya texnologiyasi: Yarim o'tkazgich materiallarni legirlashning yangi usuli sifatida past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi qo'llanilgan. Bu texnologiya orqali kremniyning asosiy va fizik parametrlari boshqarilishi mumkinligi ko'rsatilgan.
- Kremniyda binar klasterlarning hosil bo'lishi: III va V guruh elementlarining kirishma atomlari sifatida kiritilishi natijasida Si monokristali panjarasida monoatomli, monomolekulyar va binar atomlarni hosil qilish mumkinligi ta'kidlangan. Xususan, Si2GaSb va Si2GaP turkumidagi binar klasterli elementar yacheykalarning shakllanishi tasvirlangan.
- Si2GaSb va Si2GaP elementar yacheykalarining xususiyatlari: Tadqiqot natijalariga ko'ra, Si2GaSb va Si2GaP elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlari o'rganilgan. Ushbu namunalar uchun spektral xarakteristikalar keltirilgan va ularning taqiqlangan zona kengligi aniqlangan.
- Kelajakdagi qo'llanilishi: Ishlab chiqilgan texnologiyalar kelajakda optoelektronika va fotoenergetika sohalarida yangi tur infraqizil fotodatchiklar va yuqori samarali fotoelementlar yaratishga xizmat qilishi mumkinligi ta'kidlangan.