KREMNIY PANJARASIDA A III B V GURUH ELEMENTLARINI ELEMENTAR YACHEYKALARINI SHAKLLANTIRISH
Ushbu maqola kremniy panjarasida III va V guruh elementlarini (masalan, Ga va Sb) qo'llash orqali yangi turdagi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Bu esa yangi avlod yarim o'tkazgich materiallarni yaratishga imkon beradi. Ishda past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi qo'llanilgan holda, kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlarini o'zgartirish usullari ko'rib chiqiladi. Tadqiqot natijalari Si₂GaSb va Si₂GaP kabi elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniy namunalarining optik va fotoelektrik xususiyatlari o'zgarganligini ko'rsatadi, bu esa kelajakda yangi avlod optoelektronika va fotoenergetika qurilmalarini yaratishda muhim ahamiyat kasb etadi.
Asosiy mavzular
- Kremniy panjarasida elementar yacheykalarni shakllantirish: Ushbu maqolada kremniy (Si) kristal panjarasiga III va V guruh elementlarini qo'shimcha sifatida kiritish orqali elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasi yoritilgan. Bu esa yarim o'tkazgichlarning yangi avlodini yaratishga va ularning optik hamda fotoelektrik xususiyatlarini boshqarishga imkon beradi.
- Past haroratli diffuziya texnologiyasi: Maqolada yarim o'tkazgich materiallarni legirlashning yangi usuli sifatida past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi tavsiya etiladi. Bu texnologiya ma'lum termodinamik sharoitlarda qayta ishlov berish orqali kremniyning asosiy va fizik parametrlarni boshqarishga yordam beradi.
- Si₂GaSb va Si₂GaP elementar yacheykalari: Tadqiqotda kremniy panjarasida III va V guruh elementlari (Ga, Sb, P) yordamida Si₂GaSb va Si₂GaP ko'rinishidagi elementar yacheykalar (binar klasterlar) hosil qilingan. Bu esa kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlarini o'zgartirishga olib keladi.
- Yarim o'tkazgichlarning kelajagi: Maqolada yangi elementar yacheykalarga ega bo'lgan kremniy materiallarining kelajakdagi optoelektronika va fotoenergetika sohasidagi qo'llanilishi haqida so'z boradi. Masalan, ulardan yuqori samarali fotoelementlar va infraqizil fotodatchiklarni yaratish mumkin.