KREMNIY PANJARASIDA A III B V GURUH ELEMENTLARINI ELEMENTAR YACHEYKALARINI SHAKLLANTIRISH

Ushbu maqola kremniy (Si) kristal panjarasida III va V guruh elementlari (masalan, Ga va Sb) bilan qo'shilgan holda yangi elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasini o'rganadi. Tadqiqot natijasida kremniyning optik va fotoelektrik xususiyatlari yaxshilangan yangi avlod yarim o'tkazgich materiallari yaratilishi mumkinligi ko'rsatilgan. Bu esa kelajakda optoelektronikada yangi turdagi infraqizil fotodatchiklarni va samaradorligi yuqori bo'lgan fotoelementlarni yaratishga yordam beradi.

Asosiy mavzular

• Yarim o'tkazgichli materiallarning rivojlanishi: Maqolada yarim o'tkazgichli materiallarning hozirgi holati va kelajakdagi rivojlanish istiqbollari haqida so'z boradi. Zamonaviy elektronika talablariga javob beradigan yangi avlod yarim o'tkazgichlarni yaratish zaruriyati ta'kidlanadi.
• Kremniy panjarasida elementar yacheykalarni shakllantirish texnologiyasi: Ushbu mavzuda kremniy kristal panjarasiga III va V guruh elementlarini qo'shish orqali elementar yacheykalarni shakllantirishning ilmiy va amaliy jihatlari tahlil qilingan. Past haroratli va ko'p bosqichli diffuziya texnologiyasi qo'llanilgan.
• Yangi materiallarning optik va fotoelektrik xususiyatlari: Tadqiqot natijasida olingan kremniy asosidagi yangi materiallarning optik va fotoelektrik xususiyatlari o'rganilgan. Chunki bu materiallar energiya sohasida foydalanish uchun muhim ahamiyat kasb etadi.