«Degradation effects In au–pt–gaas schottky barrier Diodes induced by their active treatment”
Ushbu maqola Au-Pt-n-n+-GaAs Shottki diodlarining tuzilmalarini faol ishlov berish orqali degradatsiyasi natijasida yuzaga keladigan effektlarni o'rganadi. Tadqiqot mikroto'lqinli nurlanish va uzoq muddatli termal ishlov berishning Pt-GaAs interfeysi va Shottki kontakti bar'er xususiyatlariga ta'sirini tahlil qiladi. Maqolada ushbu ta'sirlar natijasida bar'er parametrlarining yomonlashishi, xususan, bar'er balandligining pasayishi va ideallik koeffitsientining oshishi haqida ma'lumot berilgan. Tadqiqot natijalari Au atomlarining GaAs ichiga kirib borishi va dislocations hosil bo'lishi mumkinligini ko'rsatadi, bu esa Shottki bar'erining degradatsiyasiga olib keladi.