А2В6 яримўтказгичли бирикмалар CdSxTe1-x−ZnxCd1-xTe қаттиқ қоришмалари асосидаги инжекцияли фотодиодлар
Ushbu dissertatsiya avtoreferati "CdSxTe1-x-ZnxCd1-xTe" qattiq qorishmalari asosida yorug'lik o'tkazuvchanligini boshqarish mumkin bo'lgan injeksion fotodiodlarni yaratish va ularning xususiyatlarini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda yarimo'tkazgichlar fizikasi sohasida muhim bo'lgan ushbu sohadagi aktual muammolar ko'rib chiqilgan. Ishda yarimo'tkazgich materiallarining tuzilishi, ularning optik va elektr xususiyatlari, hamda fotodiodlarning samaradorligini oshirish usullari o'rganilgan. Ilmiy ishda yarimo'tkazgichli tuzilmalarning rezonans jarayonlari va ularning taqsimlanishi ham tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari yangi turdagi injeksion fotodiodlarni ishlab chiqish va ularni zamonaviy texnologiyalarda qo'llash uchun muhim hisoblanadi.